| 研究課題/領域番号 |
07555336
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 岡山理科大学 |
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研究代表者 |
斉藤 博 岡山理科大学, 理学部, 教授 (20013526)
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| 研究分担者 |
米田 稔 岡山理科大学, 理学部, 講師 (40240379)
大石 正和 岡山理科大学, 理学部, 教授 (40068911)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
1996年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 分子線エピタキシ / 高飽和蒸気圧元素 / II‐VI族薄膜 / 青色発光素子 / クラスターイオンビーム / II-VI族薄膜 / 高蒸気圧元素 / クラスタイオンビーム |
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| 研究概要 |
1)超高真空槽の設計、製作:(1)高い飽和蒸気圧を持つII族、VI族原料分子線の精密な制御のため、成長槽内部に室温部分を設けない構造にする。(2)試料位置の再現性向上のため、試料ホルダー(マニピュレーター)の構造を変更し、かつ冷却されたカバーで覆う。この方針で超高真空槽を製作した。また固体硫黄源としては先行試作したバルブ付エフュージョンセルを用いた。成長用真空槽内部に残留している元素、特に硫黄を排出するため、成長用真空槽を含めた装置全体を均一温度に上昇させてのベ-キングが非常に重要であることが判明した。以上のことでほぼ当初の目的を達成していると判断できた。つまり固体硫黄源を用いたときの硫黄蒸気圧の制御が可能となり、高純度のZnSあるいはZnSeの成長が可能になった。また主にアルカリ金属をアクセプターとしてド-ピングし、薄膜成長機構の研究を行った。
2)この数年間ほどで、III‐V族窒化物の出現等があいまって、ワイドギャップII‐VI族を巡る環境が大きく変化した。膜質および基板界面の改善と、新たな窒素アクセプタ・ド-ピング法の模索が急務となっている。新たな窒素ド-ピング法として、1原子当たりのエネルギーが低く(1〜10eV)、または原子集団としての機能が期待できる窒素ガスクラスターイオン源が有望と考えた。本装置はII‐VI族薄膜へのド-ピングのみではなく、III‐V族窒化物成長への応用も期待できる。現在装置の製作を終え、試験運転を行っている。その結果、ノズルの位置調整機構とイオン化部に一部変更が必要とわかり、現在改良品を製作中である。なお本クラスターイオン源は上記超高真空槽に装着、使用するため、通常の装置に比べてかなり小型であるところが特徴である。
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