| 研究課題/領域番号 |
07555417
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
高田 新三 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
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| 研究分担者 |
板谷 尚雄 グンゼ(株), 滋賀研究所, 主任研究員
古川 修二 グンゼ(株), 滋賀研究所, 研究員
南 内嗣 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70113032)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
1996年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 薄膜EL素子 / セラミックEL / 酸化物蛍光体薄膜 / フラットパネル・ディスプレイ / チタン酸バリウム / セラミック絶縁層 / 酸化物蛍光体 / 薄膜EL / エレクトロルミネッセンス |
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| 研究概要 |
低温で高品質な発光層薄膜を形成するため、硅酸塩系酸化物蛍光体である緑色発光Zn_2SiO_4:Mnの母体薄膜のCVD成膜技術と、発光中心となるMnのド-ピング技術の確立、並びに膜の評価技術について検討した。しかしながら、Zn_2SiO_4系のCVDによる成膜は非常に困難であることがわかった。そこで、蛍光体として古くから知られているZnGa_2O_4系を重点に検討することに切り替えた。その結果、この化合物はEL素子用母体材料として極めて有望であることが分かった。即ち、ZnGa2O4:Cr薄膜EL素子において、1[kHz]正弦波交流電圧駆動で195[cd/m2]という高い発光輝度と0.02[lm/W]の発光効率を実現し、ZnGa2O4蛍光体母体材料が薄膜EL素子用の発光層材料として有望であることを明らかにした。以下ドーパントとして、Eu、Tb、Tm及びCeを検討した。いずれのドーパントもEL素子用として有効であった。(1)ZnGa2O4:Eu蛍光体薄膜を形成し、作製した素子において、1[kHz]正弦波交流電圧駆動で62.1[cd/m2]の最高発光輝度を実現することができた。この素子の発光色はオレンジ色であった。(2)ZnGa2O4:Tb蛍光体薄膜を形成し、作製した素子において、1[kHz]正弦波交流電圧駆動で15.14[cd/m2]の最高発光輝度を実現することができた。この素子の発光色は黄緑色であった。(3)ZnGa2O4:Ce蛍光体薄膜を形成し、作製した素子において、1[kHz]正弦波交流電圧駆動で0.51[cd/m2]の最高発光輝度を実現することができた。この素子の発光色は白っぽい青色であった。(4)ZnGa2O4:Tm蛍光体薄膜を形成し、作製した素子において、1[kHz]正弦波交流電圧駆動で5.67[cd/m2]の最高発光輝度を実現することができた。この素子の発光色は緑色であった。最近、60Hz駆動においても、かなり高い輝度が実現出来ることが分かった。
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