| 研究課題/領域番号 |
07555603
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 試験 |
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| 研究分野 |
高分子構造物性(含繊維)
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
瀬 和則 福井大学, 工学部, 助教授 (00154633)
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| 研究分担者 |
三谷 徹男 三菱電気(株), 材料デバイス研究所, 課長(研究職)
馬場 文明 三菱電気(株), 材料デバイス研究所, 部長(研究職)
佐々木 隆 福井大学, 工学部, 助手 (50242582)
高橋 利禎 (高橋 利貞) 福井大学, 工学部, 教授 (30020184)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
1996年度: 1,500千円 (直接経費: 1,500千円)
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| キーワード | 光応答性高分子 / メカノオプティカル材料 / 光記憶材料 / アゾベンゼン / 光異性化反応 / ポリアミノスチレン / 四級化反応 / ブロック共重合体 / ポリアザブタジエン |
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| 研究概要 |
初年度は光応答性架橋膜の合成を中心に研究を進め、最終年度は得られた架橋膜の光物性を中心に研究を進め、良好な研究成果を得た。具体的研究成果は以下の通りである。
1.ブロック共重合体とアゾベンゼンの精密合成:ポリスチレンとポリアミノスチレンのブロック共重合体をリビングアニオン重合法で合成して、得られた試料の分子特性を膜浸透圧や光散乱やGPC測定により厳密に求めた。一方、p, p-ビス(クロロカルボニル)アゾベンゼンを多量に精密合成した。
架橋膜の作製と膜特性:上記のブロック共重合体膜にp, p-ビス(クロロカルボニル)アゾベンゼンを分子間架橋させた場合の四級化反応性を精密に制御する条件を見い出し、新規な光応答性架橋膜を作製した。得られた膜の熱測定や膨潤度試験や可視吸収スペクトル測定により、膜中の光応答性基の濃度を求めた。更にブロック共重合体のミクロ相分離構造とアゾベンゼン基の架橋構造を理論的に検討した。
光記憶素子の性能評価:光応答性架橋膜を60℃に保ち、紫外光照射下でのアゾベンゼンのトランス体に由来する吸光度の照射時間依存性より、光記憶の書き込み評価を行った。試料を30℃に下げ、可視光照射下での光記憶の保持評価を行ない、試料を再び60℃に保ち可視光下での記憶の消去評価を検討した。
メカノオプティカルの性能評価:光応答性架橋膜を60℃以上(非線形的メカノオプティカル領域)に保ち、紫外光照射下でのアゾベンゼンのトランス体に由来する吸光度が、初期値以上に増加した温度範囲や照射時間を見い出し、メカノオプティカル挙動に関する基礎データを系統的に得た。その結果を非線形緩和関数の一つであるKWW理論により解析して、メカノオプティカルの応用と実用化を検討した。
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