| 研究課題/領域番号 |
07650040
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 岡崎国立共同研究機構 |
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研究代表者 |
宇理須 恒雄 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 教授 (50249950)
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| 研究分担者 |
津坂 佳幸 姫路工業大学, 理学部, 助手 (20270473)
間瀬 一彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40241244)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1996年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1995年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 放射光 / ジシラン / ガスソースMBE / 赤外表面反射吸収法 / ジメチルアルミニウムハイドライド / 内殻電子励起 / カーボン汚染 |
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| 研究概要 |
放射光励起SiガスソースMBEの結晶成長中のSi(100)表面水素について埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法により、その場観察した。400C付近ではSiHが主であるが、温度の低下とともにSiH_2や、SiH_3が増加する。また、放射光の照射により、SiH_2やSiH_3は分解するが、SiHは分解しないことなどが明らかとなった。
ジメチルアルミニウムハイドライド(DMAH)の低温凝集層に放射光を照射し、Al薄膜の堆積を行ない、堆積膜中のカーボン汚染を調べた。LiF、C,Alの薄膜フィルターを用いて、カーボン汚染の励起波長依存性を調べた。価電子励起と比較し、内殻電子励起の場合はカーボン汚染が約1/2に減少する。また、膜堆積の量子収率は、内殻電子励起の場合、価電子励起と比較し2桁から、3桁大きいことが判った。この実験のデータの解析に必要なデータとして、DMAH低温凝集層の赤外反射吸収スペクトルを測定した。
堆積直後では、ダイマーとトリマ-の混合であるのに対し、温度を130K以上にあげるとトリマ-のみになることがわかった。低温で安定な構造はトリマ-である。さらに、エネルギー依存性に必要なデータとして、気相DMAHの真空紫外領域での吸収スペクトルを放射光を用いて測定した。
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