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MIMトンネルダイオード高濃度水素ガスセンサ

研究課題

研究課題/領域番号 07650390
研究種目

一般研究(C)

配分区分補助金
研究分野 電子デバイス・機器工学
研究機関山形大学

研究代表者

奥山 克郎  山形大学, 工学部, 教授 (70007011)

研究分担者 神戸 士郎  山形大学, 工学部, 助教授 (20211188)
大嶋 重利  山形大学, 工学部, 教授 (40124557)
研究期間 (年度) 1995
研究課題ステータス 完了 (1995年度)
配分額 *注記
1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
1995年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
キーワード水素ガスセンサ / MIMトンネルダイオード / パラジウム・ニッケル薄膜
研究概要

本研究の目的は、PdMIMトンネルダイオード水素ガスセンサの動作領域を、高濃度水素側に拡張することである。このため、PdにNiを添加すると水素の溶解度が低下する現象を利用する。
MIMダイオードは、ガラス基板にAl薄膜ストライプを蒸着後、自然酸化により約60Åの厚さのAl_2O_3を形成させ、その上にPd/Ni合金膜を共蒸着により形成して作成した。
Pdに対するNi濃度を0、10、20、30%としたMIM素子を作成し、真空中に置き、水素ガスを0.01〜50Torr導入した時のトンネル電流の変化を調べた。その結果、PdMIMダイオードの測定可能範囲は水素分圧0.001〜0.1Torrであるのに対し、Pd/Ni10%MIMダイオードは0.01〜10Torr、Pd/Ni31%MIMダイオードは0.1〜50Torr以上となった。明らかに、Niの添加により、高濃度の水素ガスが定量検出できることが判明した。
この理由を調べるため、X線回折により、Pd薄膜とPd/Ni合金薄膜の格子間隔を測定したところ、3.89ÅのPd格子間隔が、Miを30%添加したことにより3.79Åに減少した。このため、水素の溶解度が減少するものと思われる。
本研究の一部は、応用物理学会講演会(1995年秋季)、応用物理学会東北支部講演会(1995秋)で発表し、Jpn.J.Appl.Phys.April(1996)に掲載予定である。

報告書

(1件)
  • 1995 実績報告書
  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] S.Okuyama 他: "Current vs Voltage Characteristics of Al-Al_2O_3-Pd Tunnel Junction Hydrogen Sensor" Jpn.Appl.Phys.35(4月号掲載決定). (1996)

    • 関連する報告書
      1995 実績報告書

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公開日: 1995-04-01   更新日: 2016-04-21  

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