| 研究課題/領域番号 |
07650788
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
北條 純一 (北条 純一) 九州大学, 工学部, 教授 (20038079)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1996年度: 700千円 (直接経費: 700千円)
1995年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 炭化ケイ素 / 窒化ホウ素 / 炭化チタン / 複合粒子 / 複合材料 / 流動層 / 傾斜接合 / 電極 |
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| 研究概要 |
1.複合粒子の合成
流動層コーティング法により、SiC粒子(粒径:0.3μm)の上にBCl_3-NH_3-H_2系気相からBNを析出させ、被覆型のSiC-BN複合粒子を合成した。複合粒子は40〜60μmの球状の凝集粒子を形成しており、BNが凝集粒子の外表面に局在する傾向があるが、反応条件の制御によって凝集粒子内部にBNが均一に分布した複合粒子が合成できた。同様の方法により、TiCl_4-CH_4-H_2系気相からTiCを析出させてSiC-TiC複合粒子を合成したが、複合粒子はSiC凝集粒子の外表面にTiCが析出した構造であった。
2.複合材料の作製と特性評価
複合粒子をホットプレスすることにより焼結体を作製した。SiC-BN複合材料は優れた耐熱衝撃性を示した。これは均一に分散したh-BN相によって熱応力が緩和されるためである。SiCは半導性であるが、小量のBN添加により電気抵抗が減少し、BN量が増すとBNの絶縁性のため抵抗が大きくなることがわかった。SiC-TiC複合粒子の焼結体は低い電気抵抗を示した。これはTiCが金属電導性であり、凝集粒子表面のTiC層が焼結体中でネットワーク構造を形成し、導電パスとなるためである。
3.SiC/TiC傾斜接合電極の作製
半導性SiCの高温電子デバイスへの応用のため、TiCの電極としての特性を調査した。SiCとTiCの接合において、境界組成を傾斜化することにより安定な接合が達成された。SiCとTiCの電気的結合はオーミックであり、TiCの傾斜接合がSiC電気素子の電極形成法として有効であることがわかった。
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