| 研究課題/領域番号 |
07650830
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 室蘭工業大学 |
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研究代表者 |
桃野 正 室蘭工業大学, 工学部, 助教授 (10002940)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1996年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1995年度: 1,300千円 (直接経費: 1,300千円)
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| キーワード | 拡散接合 / TLP接合 / 複合材料 / 異種金属 / インサート金属 / 等温凝固 |
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| 研究概要 |
本研究によって得られた成果
I.SiC粒子あるいはAl_2O_3粒子を強化相とし、アルミニウム合金(JIS A6061)をマトリックスとした複合材料どうしの接合を、純Cu箔をインサート材として拡散接合した場合:
1.Al合金のTLP接合にはCu箔が最適であり、その厚さは0.5〜3.0μmである。
2.接合条件は接合温度570℃、接合時間0.3ks、接合圧力1.0MPaであった。
3.Cu融液は表面のAl_2O_3皮膜を破壊する作用がある。
4.T6処理によって、継手の著しい強度改善が認められた。
5.接合界面における強化粒子の偏析は、Cu層の厚さを薄くすることによって抑制できる。
II.SiC粒子を強化相としAC3A合金をマトリックスとした複合材料と、AC3A合金とを、純Cu箔をインサート材として拡散接合した場合:
1.接合温度560℃以上で接合が可能である。
2.最適接合条件はインサート金属3μmCu箔、接合圧力19.6MPa、接合時間0.6ksである。
3.後熱処理を行っても、接合強度の改善は認められなかった。すなわちCuのアルミニウムマトリックス中への拡散による固溶強化は図られなかった。
4.接合界面には粗大な粒状Siが析出し、接合強度の低下をもたらすことが判明した。この原因として遷移的に液相が生じ、Si相がAl-Cu共晶液相と共存したことに起因する。
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