| 研究課題/領域番号 |
07672200
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
外科系歯学
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| 研究機関 | 愛知学院大学 |
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研究代表者 |
吉田 憲司 愛知学院大学, 歯学部・口腔外科学第1講座, 助教授 (40183701)
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| 研究分担者 |
金子 道生 愛知学院大学, 歯学部・口腔外科学第1講座, 講師 (20261026)
加藤 麦夫 愛知学院大学, 歯学部・口腔外科学第1講座, 講師 (30214406)
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| 研究期間 (年度) |
1995 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1997年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1996年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1995年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
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| キーワード | 低出力レーザー / 培養線維芽細胞 / 細胞増殖 / TIMP-1 / TIMP-2 |
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| 研究概要 |
培養細胞に対する低出力レーザー照射のための周辺機器の開発、および本研究における細胞培養手技を確立し、低出力レーザーをヒト歯肉線維芽細胞に照射し以下の実験を行った。
1)Gin-1細胞に対する照射条件の検討
(1)レーザー照射前後の細胞の形態学的変化を位相差顕微鏡下にて観察したところ、異常所見は認めなかった。
(2)レーザー照射の有無によるマイトジェン活性の変化については任意に照射条件を設定し、放射活性を測定した。以上の結果からHe-Neレーザー照射群はワット密度:18.72mW/cm^2、ジュール密度:5.62J/cm^2に、半導体レーザーはワット密度:1.12mW/cm^2,ジュール密度:0.33J/cm^2の照射条件として以下の実験を行った。
2)細胞数の変化を蛍光微量定量法で測定した。He-Neレーザー照射群は48時間後のDNA量の増加に半導体レーザー照射群では照射24、48時間後ともに、10%TIMP(-)FCS添加D-MEM培養条件下で照射の有無による有意差を認めた。
3)細胞上清のTIMP-1分泌量およびTIMP-2分泌量をサンドイッチEIAで測定した。得られたTIMPs分泌量は、DNA1μg当たりの数値とした。両レーザーともTIMP-1分泌量はTIMP(-)10%FCS添加D-MEM培養条件下の細胞では、24時間後に照射による有意差を認めた。TIMP-2分泌量については測定用EIAの検出限界(10ng/ml)以下であった。
4)RT-PCR法を用いてTIMPのmRNAの解析を行った。TIMP-1mRNAは照射2時間後にすでにmRNAの発現が、非照射群と比較して増加していた。TIMP-2mRNAについては発現量に差を認めなかった。
以上から、TIMPs系を介する機構で、低出力レーザー照射がGin-1細胞に対して、細胞増殖促進に働くことが示唆された。
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