| 研究概要 |
本研究では,シランプラズマ中の微粒子の核発生と初期成長過程を調べることを目的とし,新たに創案した光脱離法,光イオン化法を用いて高周波シランプラズマ中のサブナノSi微粒子の成長過程を調べ,以下の成果を得た.
1)新たに創案した光脱離法,光イオン化法を用いることによって,従来できなかったサブナノSi微粒子成長のその場観察を可能とした.
2)高周波シランプラズマ中のサブナノSi微粒子は核発生,初期成長の段階から,短寿命ラジカル密度の高い高周波電極側のプラズマシース境界領域で成長することを見出した.
3)放電周波数を6.5から28MHzに増加すると,短寿命ラジカルの発生が増加し,それに伴いサブナノSi微粒子の成長速度も速くなることを見出した。
4)2),3)の結果は,短寿命ラジカルが微粒子発生のキ-ラジカルであり,しかも,一つの微粒子の発生に短寿命ラジカルが多数個関与していることを示唆している.
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