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粒界準位の制御による高機能PTCRセラミックスの開発

研究課題

研究課題/領域番号 07750746
研究種目

奨励研究(A)

配分区分補助金
研究分野 無機材料・物性
研究機関長岡技術科学大学

研究代表者

ヒューブレヒツ ベン.ジョセフ  長岡技術科学大学, 工学部, 助教授 (60251849)

研究期間 (年度) 1995
研究課題ステータス 完了 (1995年度)
配分額 *注記
900千円 (直接経費: 900千円)
1995年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
キーワードPTCR特性 / 高温超伝導体 / ヘイワングモデル / 粒界準位 / エネルギーギャップ / 赤熱点 / ホットスポット / ダブルショットキー障壁
研究概要

Positive Temperature Coefficient Resistivity(PTCR)セラミックスは大変急激で変則的な抵抗温度係数を持つ材料である。高温超伝導体としてよく知られているGdBa_2Cu_3O_<7-δ>はPTCR材料のひとつである。このPTCR材料に、室温で電圧を印加すると、試料上に局部的な赤熱点が発生することを見出した。
この赤熱点は、試料の抵抗率の温度依存性に依存して発生することを解明し、さらに、この赤熱点し酵素イオンの高速拡散に起因すると思われるゆっくりとした移動現象を示した。この過程を追求していく過程で、電流-電圧特性に、特異なヒステリシスが現れることを見出し、このことから、赤熱点の出現と消滅に関する現象の解明に成功した。

報告書

(1件)
  • 1995 実績報告書

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公開日: 1995-04-01   更新日: 2016-04-21  

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