| 研究概要 |
[研究の目的]
電子計算機による情報処理の高速化ならびに高機能化にともない,大容量で安価な媒体を作製しうる光磁気記録方式の今後の利用拡大が予想されている.しかし,この記録方式の記録媒体として用いられるTbFeCo薄膜は,化学的安定性が乏しく長期の信頼性が得られないという欠点がある.劣化要因としては、記録媒体の保管中に大気中の水蒸気による腐食と,記録再生過程のレーザー光加熱による大気腐食に起因する極微少損傷が挙げられる.このうち,極微少損傷領域の大気腐食に関しては酸化機構や酸化速度についての知見は得られていない.本研究では.TbFeCo光磁気記録膜の大気酸化機構ならびに酸化速度をエリプソメトリーを用いてその場し,使用環境の違いや合金組成の違いによる極微少損傷機構の違いを解明することである.
[研究実施計画および実施結果]
(1)TbFeCo光磁気記録膜の作製
TbFeCo光磁気記録薄膜は,イオンビームスパッタ蒸着装置を用いて作製した.この際,今年度購入した膜厚モニターで試料膜厚を制御した.
(2)TbFeCo光磁気記録膜の酸化処理装置の作製
TbFeCo光磁気記録膜は反応性が高いために,酸化雰囲気や酸化温度の制御を厳密に行う必要がある.本研究では,エリプソメトリーによるその場解析を行うため,化学蒸着法(CVD法)の反応セルを改良して酸化雰囲気を制御できる装置を作製した.
(3)TbFeCo光磁気記録膜の大気酸化による極微少損傷機構の解析
TbFeCo光磁気記録膜の大気酸化による極微少損傷機構の解析をエリプソメトリーによるその場解析法で行い,酸化速度と酸化機構について検討した.その結果,TbFeCo光磁気記録膜の酸化速度は酸化温度に大きく依存し環境中の水分による影響は大きくないことが分かった.
|
