| 研究課題/領域番号 |
07F07105
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授
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| 研究分担者 |
SANJUKTA Ghosh 東京大学, 大学院・工学系研究科, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2008
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| 研究課題ステータス |
完了 (2008年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
2008年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
2007年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| キーワード | スピン / 強磁性半導体 / ヘテロ構造 / MnデルタドープGaAs / 磁気光学効果 / プレーナホール効果 / 磁気異方性 / (GaMn)As / GaMnAs / 磁気円2色性(MCD) |
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| 研究概要 |
前年度に引き続き、3元および4元混晶のIII-V磁性半導体とヘテロ構造の形成と制御およびその応用につき、以下の研究を行った。
1.3元混晶(GaMn)As,4元混晶(GaInMn)As磁性半導体、MnデルタドープGaAsの磁気特性(保持力、残留磁化、飽和磁化、磁気抵抗、ホール抵抗など)の最適化と制御の研究を行った。
2.上記磁性半導体を含むヘテロ構造を作製した。
3.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造については、強磁性とともに大きな磁気光学効果を示すことがわかった。そのスペクトル、磁場依存性の詳細な評価と解析を行った。
4.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造の断面TEMによる詳細な構造評価を行い、閃亜鉛鉱型半導体構造を保っていることがわかった。
5.MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造のプレーナホール効果と磁気異方性を明らかにした。
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