| 研究課題/領域番号 |
08044120
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| 研究種目 |
国際学術研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 共同研究 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
DEBOECK Joha ベルギー大学, 間マイクロエレクトロニクスセンター, 主任研究員
PALMSTROM Ch 米国ミネソタ大学, 化学工学材料科学科, 教授
西永 頌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (10023128)
林 稔晶 東京大学, 大学院・工学系研究科, 学振特別研究員
DEBOCCK Joha ベルギー大学, 間マイクロエレクトロニクスセンター, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
4,200千円 (直接経費: 4,200千円)
1997年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1996年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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| キーワード | 異種物質ヘテロ接合糸 / ErAs / III-V半導体 / 分子線エピタキシ- / 強磁性金属 / MnAs / GaMnAs / 強磁性半導体 / 異種物質ヘテロ接合系 / 異種物質ヘテロ接合 / エピタキシャル成長 |
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| 研究概要 |
平成9年度は、強磁性金属と半導体から成る異種物質ヘテロ接合系と強磁性混晶半導体GaMnAsを含む磁性体/半導体融合材料系のエピタキシャル成長・物性探索およびその応用に関する、以下の共同研究および調査研究を行った。
(1)半導体(III-V)/金属間化合物(ErAs)/半導体(III-V)ヘテロ構造の分子線エピタキシ-(MBE)成長技術に関する研究と情報交換(ミネソタ大学にてパルムストロム教授とともに平成9年8月に調査研究を行った。)
(2)ErAs/AlAs/GaAs埋め込みヘテロ構造の構造評価、特に高分解能透過型電子頭微鏡を用いたヘテロ界面の解析(米国サンタバ-バラおよびミネソタ大学、東京大学において、パルムストロム教授及びデボック博士らと平成9年7月および平成10年3月に共同研究を行った。)
(3)強磁性金属(MnAs,MnGa)を含む強磁性金属と半導体から成る異種物質ヘテロ接合系の結晶成長機構の解明と物性機能の探索(ベルギーIMECにおいてデボック博士らと平成9年9月に、東京大学にてデボック博士らと平成10年3月に、それぞれ調査研究と共同研究を行った。)
(4)強磁性混晶半導体(GaMn)Asを含む磁性体/半導体融合材料系のエピタキシャル成長・物性探索およびその応用に関する研究(ベルギーIMECおよびポーランドのワルシャワにおいてデボック博士ら平成9年9月に、東京大学においてデボック博士らと平成10年3月に、共同研究と調査研究を行った。
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