| 研究課題/領域番号 |
08044123
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| 研究種目 |
国際学術研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 共同研究 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
中野 義昭 東京大学, 工学系研究科, 助教授 (50183885)
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| 研究分担者 |
バーツ ルル ゲント大学, 情報工学研究所, 助教授
羅 毅 清華大学, 電子工程系, 教授
スミット マイントK. デルフト工科大学, 電気工学科, 教授
コルドレン ラリーA. カリフォルニア大学, サンタバーバラ校, 教授
多田 邦雄 東京大学, 工学系研究科, 教授 (00010710)
SMIT Meint K. Delft Univ.of Technology, Dept.of Electrical Eng., Professor
COLDREN Larry A. Univ.of California, Santa Barbara, Professor
BAETS Roel Univ.of Gent, Dept.of Information Tech., Associate Professor
スミット マイットK デルフト工科大学, 電気工学科, 教授
コルドレン ラリーA カリフォルニア大学, サンタバーバラ校・光エレクトロニクス技術センター, 教授
須藤 剣 日本学術振興会, 特別研究員
モルティエル ヘールト ゲント大学, 情報工学研究所, 助手
スミット マイント K デルフト工科大学, 電気工学科, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
6,500千円 (直接経費: 6,500千円)
1997年度: 3,100千円 (直接経費: 3,100千円)
1996年度: 3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
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| キーワード | 分布帰還型レーザ / DFBレーザ / 利得結合 / パラメータ抽出 / アナログ変調歪み / レーザトライオード / 量子細線 / MMIカプラ / モノリシック光集積回路 / 半導体レーザ / パワメータ抽出 / ダンピングファクタ / 変調歪み / 波長トリミング |
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| 研究概要 |
1.利得結合係数の測定抽出:発振閾値に達する前のASE(amplified spontaneous emission)スペクトラムに理論スペクトラムをフィッティングする新しいパラメータ抽出法を確立し,利得結合係数の測定抽出を世界で初めて可能にした.これを用いて,吸収回折格子型利得結合分布帰還型(GC DFB)レーザで,利得結合係数が注入電流とともに変化するという理論的予測を,初めて実験的に証明した.2.小信号直接変調特性:GC DFBレーザの小信号直接変調を行い,緩和振動周波数と緩和振動ダンピングファクタを抽出した.その結果,GC DFBレーザのダンピングファクタは通常と異なり,光出力とともに低下する領域の存在することが確認された.これを利用すれば,小信号変調帯域を,通常のDFBレーザに比べ拡大することができる.3.アナログ変調歪み解析と測定評価:GC DFBレーザのアナログ変調歪みを新たに開発した手法により数値解析した.その結果,二次高調波歪については,活性層の利得圧縮の効果と吸収格子の吸収圧縮の効果が相殺し,歪の小さくなることが明らかになった.これを検証すべく,変調歪の測定評価予備実験を行った.4.GC DFBレーザトライオードの試作:4段階有機金属気相エピタキシ-(MOVPE)によって,波長1.55μm帯のGC DFBレーザトライオードを作製することに,世界で初めて成功した.5.量子細線構造GC DFBレーザの試作:V溝基板上へのMOVPE成長を利用し,InGaAs歪み量子細線を活性層とするGC FDBレーザを世界で初めて試作した.6.MOVPE選択成長を利用したMMIカプラの試作・開発:MOVPE面積選択成長を応用して,多モード干渉(MMI)カプラの作製に初めて成功した.
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