| 研究課題/領域番号 |
08044134
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| 研究種目 |
国際学術研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 共同研究 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| 研究分担者 |
KASTNER Marc マサチューセッツ工科大学, 教授
MILNE Willia ケンブリッジ大学, 工学部, 教授
MOORE David ケンブリッジ大学, 工学部, 助教授
杉浦 修 東京工業大学, 工学部, 助教授 (10187643)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
KASTNER Mark マサチューセッツ工科大学, 教授
伊藤 明 東京工業大学, 工学部, 助手 (30282833)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
10,000千円 (直接経費: 10,000千円)
1997年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
1996年度: 5,000千円 (直接経費: 5,000千円)
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| キーワード | 超高速デバイス / 超伝導デバイス / 極微細加工プロセス / 電子ビーム露光技術 / 超薄膜結晶成長 / 量子効果デバイス / 原子層エピタキシ- / 薄膜トランジスタ |
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| 研究概要 |
1.プラズマプロセスにより粒径10ナノメートル以下のシリコン量子ドットを作製した。ガスパルス法による核形成・結晶成長分離のアイデアとプラズマ条件による結晶成長機構の解明により均一粒径の量子ドットを得た。シリコン量子ドットに極薄シリコン酸化膜を形成する条件を見いだした。
2.電子ビーム露光法とECR反応性エッチング法により、微細ポリシリコン電極を形成した。2段階露光法により10-20ナノメートルの微細電極を形成し、堆積したシリコン量子ドットの電気特性を測定したところ、単電子トンネル現象を観測した。
3.原子層MOCVD法により酸化物超伝導超薄膜を形成し、種々の絶縁性酸化物とのヘテロ接合を形成した。超音波式MO原料モニター法および分光エリプソメトリ法を開発して再現性ある超薄膜形成を可能にした。
4.超伝導接合と平面型電界効果デバイスを組み合わせて、電界変調効果の増大を観測した。
5.走査プローブ顕微鏡を用いて酸化物超伝導の微細加工を行い、固有ジョセフソン効果に起因する異常電流特性を観測した。
6.Si(100)面上へのSiの原子層成長(ALE)特性について詳細に調べて、気相での原料ガス(ジクロロシラン)同士の衝突分解反応によるSiHClの生成が理想的な1ML/サイクルの成長速度を実現するための重要な条件であることを明かにした。
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