| 研究課題/領域番号 |
08044148
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| 研究種目 |
国際学術研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 共同研究 |
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| 研究分野 |
計測・制御工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
高井 幹夫 大阪大学, 極限科学研究センター, 教授 (90142306)
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| 研究分担者 |
FREY Lothar フラウンホーファ集積回路電子素子技術研究所, 部長
RYSSEL Heine フラウンホーファ集積回路電子素子技術研究所, 所長, 教授
柳沢 淳一 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 講師 (60239803)
弓場 愛彦 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教授 (30144447)
LOTHAR Frey フラウンホーファ集積回路電子素子技術研究所, 部長
HEINER Rysse フラウンホーファ集積回路電子素子技術研究所, 所長, 教授
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
13,900千円 (直接経費: 13,900千円)
1998年度: 4,900千円 (直接経費: 4,900千円)
1997年度: 4,900千円 (直接経費: 4,900千円)
1996年度: 4,100千円 (直接経費: 4,100千円)
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| キーワード | イオンマイクロプローブ / 集束イオンビーム / TOF-SIMS / ナノメートル構造 / 3次元ナノメートル分析技術 / 極微細加工 / 真空マイクロエレクトニクス素子 / ビーム誘起マスクレスプロセス / 真空マイクロエレクトロニクス素子 / ナノファブリケーション / ナノメートル3次元分析 / 電界放射電子源 / プロセス誘起欠陥 / ナノ構造 / DRAM |
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| 研究概要 |
次々世代超高集積回路やメゾスコピック領域で用いられる数十ナノメートル構造の組成、結晶性、不純物分布を明らかにする分析技術を確立するために、これまで日本側で研究開発してきたイオンマイクロプローブ(集束イオンビーム)による非破壊分析技術とドイツ側で進められている破壊検査による分析技術(TOF-SIMS)の精度をナノメートル域まで上げ、両技術を相補的に融合し、同一試料による共同研究を行うことにより、3次元ナノメートル分析技術の基礎を確立し、以下の研究成果を得た。
1. これまで開発してきた非破壊および破壊分析技術を相補的に用いて、日本側で作製した真空マイクロエレクトロニクス素子とメゾスコピック領域の量子効果素子のための基本構造の分析を行い、この技術の優位性を実証した。
2. ドイツ側で準備した電子および集束イオンビーム誘起マスクレスプロセスによる極微細加工試料と100ナノメートル以下の最小加工線幅による次々世代超高集積デバイス試料を招へいにより日本側に持参し、計測実験を行い、本分析技術の検証を行った。
3. 80ナノメートルの面内分解能での2次元マッピングと数ナノメートルの深さ分解能による非破壊トモグラフィー技術を開発することが出来た。
4. 以上の共同研究を行い、本技術の基礎を完成させ、これらの成果を国際会議およ学術誌へ投稿発表した。
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