| 研究課題/領域番号 |
08102001
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
物理系
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫻井 利夫 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20143539)
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| 研究分担者 |
小林 力 東北大学, 金属材料研究所, 助手
長谷川 幸雄 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (80252493)
LI Lian 日本学術振興会, 特別研究員
TINDALL Cra 日本学術振興会, 特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
190,000千円 (直接経費: 190,000千円)
1998年度: 30,000千円 (直接経費: 30,000千円)
1997年度: 37,000千円 (直接経費: 37,000千円)
1996年度: 123,000千円 (直接経費: 123,000千円)
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| キーワード | バリスティック電子放射顕微鏡 / 走査トンネル顕微鏡 / 金属半導体界面 / 半導体ヘテロ界面 / 界面微細加工 / 界面電子誘過確率 / 電解イオン顕微鏡 / ナノ微結晶材料 / 金・シリコン界面 / アトムプローブ電界イオン顕微鏡 / 半導体ヘラロ界面 / ナノ結晶材料 / 電子エネルギー損失分光 / 局所仕事関数 / STM / APFIM / BEEM / Fe-Zr-B合金 / FINEMET / 量子ドット / 仕事関数 |
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| 研究概要 |
本研究では、(1)バリスティック電子放射顕微鏡(BEEM)を用いて局所領域における界面での電子透過およびその改変に関する研究(2)分子線エピタクシー装置(MBE)複合型STMによる格子常数の異なるIII-V族化合物半導体ヘテロ界面の研究(3)高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)複合型STMによるフラーレン分子と基板間との電荷移動に関する研究(4)STMによる表面ポテンシャル・局所仕事関数に関する研究(5)X線励起電流検出による元素分析STMの試み(6)飛行時間型アトムプローブ・3次元アトムプローブによるナノサイズ微結晶の生成メカニズムに関する研究などを推進し、それらの共通の課題である界面における相互作用・電子透過・電荷移動・拡散・歪等々に関する議論を進めてきた。
特に(1)の研究では、これまでのノウハウを駆使して、ナノメートルサイズの界面の局所領域に適当なエネルギーを持つ電子線を入射することにより、界面における電子透過の振る舞いを可逆的に改変することに成功している。この技術は、テラビット高密度記録の応用への期待から学術雑誌であるScience誌にも紹介されるなど注目を集めた。また(2)の研究では、SiC基板上に成長させたGaN薄膜層の表面・成長過程のSTM像観察に成功している。GaNは青色発光材料として注目を集める材料であり、その結晶成長過程の原子スケールでの研究は興味を集め、数々の国際学会において招待講演を行っている。
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