| 研究課題/領域番号 |
08238206
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| 研究種目 |
重点領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
小田 俊理 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| 研究分担者 |
伊藤 明 東京工業大学, 工学部, 助手 (30282833)
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| 研究期間 (年度) |
1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
1996年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 高誘電体 / MOCVD法 / 原子層結晶成長 / 第3世代MO原料 / 超音波式混合ガス濃度計 / エピタキシャル下部電極 / バッファ層 |
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| 研究概要 |
1.原子層MOCVD薄膜成長において、液体状態で使用できる第3世代MO原料としてテトラエンを会合させたβジケトン金属錯体がを用いることにより、蒸気圧の経時変化のない安定した成長が可能になることを示した。
2.MOCVD結晶成長用混合ガス原料濃度モニターのため、250℃の高温と150Torrの低圧で使用できる超音波式MO原料モニターを開発した。原料溜の温度制御を精密に行うことにより、再現性の高い高誘電体薄膜成膜が可能になることを見いだした。
3.酸化物高誘電体の成長中に下地金属が酸化されてしまい、低誘電体層が形成する問題と、高誘電体超薄膜で、誘電率が結晶粒径で決定されて低く抑えられてしまう問題を解決するために、エピタキシャル酸化物電極を検討した。その結果、SrRuO3とYBa2Cu3O7が有望であることを見いだした。
4.シリコン基板上に、酸化物高誘電体および下部電極エピタキシャル薄膜を成長するためのバッファ層を検討して、」CaF2、イットリア安定化ジルコニアなどが有望であることを見いだした。
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