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単電子デバイスの創出とその回路・アーキテクチャの検討

研究課題

研究課題/領域番号 08247104
研究種目

重点領域研究

配分区分補助金
研究機関東京大学

研究代表者

榊 裕之  東京大学, 生産技術研究所, 教授 (90013226)

研究分担者 谷口 研二  大阪大学, 工学研究科, 教授 (20192180)
井上 正崇  大阪工業大学, 電気工学科, 教授 (20029325)
坪内 和夫  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
雨宮 好仁 (雨宮 好二)  北海道大学, 工学研究科, 教授 (80250489)
鳳 紘一郎  東京大学, 新領域創成科学研究科, 教授 (60211538)
研究期間 (年度) 1996 – 1999
研究課題ステータス 完了 (2000年度)
配分額 *注記
191,100千円 (直接経費: 191,100千円)
1999年度: 20,800千円 (直接経費: 20,800千円)
1998年度: 35,600千円 (直接経費: 35,600千円)
1997年度: 47,700千円 (直接経費: 47,700千円)
1996年度: 87,000千円 (直接経費: 87,000千円)
キーワードFETメモリー / SET寸法スケーリング / InAs / 非対称ターンスケール / 単電子回路シュミレーター / 単電子多数決論理システム / サブバンド間遷移 / InAs量子ドット / InAs系 / シングルエレクトロン多数決論理システム / 単電子FETメモリー / 非対照ターンスケール / 単電子回路シミュレータ / 単電子素子 / 量子箱 / 帯電効果 / テラヘルツ光 / 分割ゲート構造 / 単電子トランジスタ(SET) / インジウム砒素(InAs) / トンネル現象
研究概要

第3班では、単電子効果や量子ドットを用いた素子の高性能化と新機能の実現を探るとともに、新しい回路やシステムについて研究を進め、以下の成果を得た。
まず、InAs量子ドットを組み込んだGaAs/AlGaAsFETを開発し、単電子の捕捉に伴うメモリー機能を実証した。また、光励起正孔の捕捉により光検出機能を実現した。さらに、InAs量子ドット内の離散準位を介する共鳴トンネル伝導の特色を解明した。
次に、GaSb/InAsヘテロ構造にAFM探針による選択酸化を施し、特性寸法100nm以下の素子を作製し、明瞭な単電子動作を実現した。また、ケルビン探針によるInAs量子ドットの表面電位の計測やカーボンナノチューブの探針としての特色を明らかにした。
また、LSI技術と整合した単電子素子技術を探索した。特に、SOI形MOSFETで量子点接触を作り、単電子トランジスタの室温動作を実現し、さらにクーロン振動の新制御法を開発し、方向性電流スイッチを試作実証した。また、Siナノ結晶を用いたメモリー用の側面チャネル素子構造とCMOSセンス増幅器を検討した。
単電子素子や回路のモデリングとアーキテクチャの研究を進めた。単電子メモリーのマスター方程式解析やSPICEを拡張し、CMOSとSETの高速シミュレーションを可能とした。また、トンネルに伴う障壁形状の変化を考慮した解析法も示した。次に、ビット当りのエネルギーEbと熱雑音kTとの比や残留電荷が、SETの誤差率(BER)に及ぼす影響を解析した。特に、ゲインを利用して回路動作の不安定性を回避するための整合フィルタ型論理回路を提案、さらにSETとCMOSのハイブリッド回路を介して外部のバス駆動すれば、微弱信号の入出力のできることを示すとともに、浮遊電荷量を10^8cm^2/以下にし液体He温度以下と動作させれば、大規模SETシステムの実現できることを示した。
さらに、二分決定グラフ論理表現や多数決論理にもとづくSET回路システムを設計するとともに、電子の個数を多値信号に対応させた論理回路やトンネル輸送とグラフ論理表現を組合せた量子ドット論理回路システムの設計を行った。
また、単電子効果と量子ドットの赤外・テラヘルツ応用も探り、InAs量子ドットを用いた赤外光検出を提案実証し、サブバンド間遷移スペクトルの特色についても明らかにした。また、三重障壁(二重ドット)を持つ単電子素子において、準位間隔に共鳴した光子を入射した時の光子支援トンネル(PAT)伝導を解析し、この系のPAT信号は、単一量子ドットのそれに比べて一万倍も大きいことを明らかにした。

報告書

(5件)
  • 2000 研究成果報告書概要
  • 1999 実績報告書
  • 1998 実績報告書
  • 1997 実績報告書
  • 1996 実績報告書
  • 研究成果

    (416件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (416件)

  • [文献書誌] T.T.Ngo: ""Simulation model for self ordering of strained islands in molecular beam epitaxy""Phys.Rev.B. 53. 9618-9621 (1996)

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  • [文献書誌] D.Dixon: "Influence of energy level alignment on tunneling between coupled quantum dots."Phys.Rev.B. 53. 12625-12628 (1996)

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  • [文献書誌] P.D.Wang: "Magneto luminescence studies of Iny All-yAs self-asssembled quaaantum dots in AlGaAs matricesl"Phys.Rev.B. B53(24). 16458-16461 (1996)

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  • [文献書誌] H.Akiyama: "Concentrated oscillaton strength of one-dimensional excitons in quantum wires observed with photoluminescence excitation spectroscopy"Phys.Rev.B. B53(24). R16160-R15163 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Ohno: "Magnetotransport and interlalyer-edge channel tunneling of two-dimensional electrons in a double quantum well system"Phys.Rev.. B54(4). R2319-R2322 (1996)

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  • [文献書誌] D.Dixon: "Linear and non-linear transport through coupled quantum dots"Surf.Soc.. vol.361-362. 636-639 (1996)

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  • [文献書誌] L.P.Kouwenhoven: "High-frequency transport through mesoscopic structures"Surf.Sci.. vol.361-362. 591-594 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Ohno: "Suppression of resonant tunneling in a coupled quantum well"Surf.Sci. 361-362. 142-145 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura: "Surface smoothness and step bunching on GaAs (111)B facet formed by molecular beam epitaxy"Jpn J.Appl.Phys.. 35(7). 4038-4039 (1996)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Terahertz photoresponse of quantum wires in magnetic fields"Superlattices and Microstructures. 20. 383-387 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura: "Large conductance anisotropy in a novel two dimensional electron system grown on vicinal (111)B GaAs with multi-atomic steps"Appl.Phys.Lett. 69(26). 4093-4095 (1996)

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  • [文献書誌] M.Narihiro: "Resonant tunneling of electrons via 20 nm-scale InAs quantum dot and magnetotunneling spectroscopy of its electronic states"Appl.Phys.Lett. 70(1). 105-107 (1997)

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  • [文献書誌] Y.Kadoya: "Effect of oxygen incorporation at AlGaAs/GaAs interfaces on the electrical properties of two-dimentional electron gas :"Appl.Phys.Lett.. 70(5). 595-597 (1997)

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  • [文献書誌] S.Koshiba: "Ultrahigh vacuum atomic force microscope study of 10-30 nm-scale GaAs ridge structure formation by molecular beam epitaxy"Appl.Phys.Lett.. 70(7). 883-885 (1997)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht: "Delayed luminescence induced by intersubband optical excitation in a charge transfer double quantum well structure"Appl.Phys.Lett.. 70(9). 1128-1130 (1997)

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  • [文献書誌] G.Yusa: "Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots and persistent photoconductivity in novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor structures"Appl.Phys.. 70. (1997)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura: "Formation of multi-atomic steps and novel n-AlGaAs/GaAs hetero junctions on vicinal (111)B substrates by MBE and anisotropic transport of 2D electrons"J.Cryst.Growth.. 175-176. 1091-1095 (1997)

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  • [文献書誌] G.Yusa: "MBE growth of novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor structures with embedded InAs quantum traps and their transport characteristics"J.Cryst.Growth. 175-176. 729-734 (1997)

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  • [文献書誌] S.Koshiba: "UHV-AFM Study of MBE grown 10-nm scale ridge quantum wires"J.Crystal Growth. 175-176. 803-807 (1997)

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  • [文献書誌] T.Noda: "Selective MBE growth of GaAs wire and dot structures using atomic hydrogen and their electronic properties"J.Cryst.Growth. 175-176. 786-791 (1997)

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  • [文献書誌] 秋山英文: "自由電子レーザー・炭酸ガスレーザーを用いた半導体量子細線・井戸構造の赤外分光"固体物理. 31(4). 13-20 (1996)

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  • [文献書誌] M.Narihiro: "Magneto-tunneling study of zero-dimensional electronic states in self-organized InAs quantum dot High Magnetic Fields in the Physics of Semiconductors II"Vol.1 ed.G.Landwehr and W.Ossau, World Scientific. 477 (1997)

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  • [文献書誌] T.Inoshita: "Electron-phonon interaction and the so-called phonon bottleneck in a semiconductor quantum dots", Physica B 227 (1997) pp.373-377"Physica. B227. 373-377 (1997)

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  • [文献書誌] T.Inoshita: "Density of states and phonon-induced relaxation ofelectrons in semiconductor quantum dots"Phys.Rev.. B56. 4355-4358 (1997)

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  • [文献書誌] M.Kuwata-Gonokami: "Parametric scattering of cavity polaritons."Rev.Left.. 79, No.7. 1341-1344 (1997)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Resonant terahertz optical sideband generation from confined magnetoexcitons"Phys.Rev.. vol.79, No.9. 1758-1761 (1997)

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  • [文献書誌] H.Akiyama: "Spectroscopy of one-dimensional excitons in GaAs quantum wires"Materials Science Engineering. B48. 126-130 (1997)

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  • [文献書誌] S.Tsujino: "Saturation of intersubband absorption by real-space transfer in modulation doped single GaAs-AlAs quantum well"phys.stat.sol.. (b)204, No1. 162 (1997)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht: "Oscillatory behavior of relaxation of hot electrons in a biased charge transfer double quantum well"phys.stat.sol.. (b) 204 No.1. 151 (1997)

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  • [文献書誌] K.B.Nordstrom: "Observation of dynamical Franz-Keldysh effect"phys.stat.sol.. (b) 204 No.1. 223-52-229 (1997)

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  • [文献書誌] H.Sakaki: "Formation of 10 nm scale edge quantum wire structures and their excitonic and electronic properties"phys.stat.sol.Bulletin. (a) 164 No.1. 241-251 (1997)

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  • [文献書誌] C.Metzner: "Localization of quantum well excitons by lateral disorder. a numerical study"phys.stat.sol.. (a) 164, No.1. 471-476 (1997)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Terahertz linear and nonlinear dynamics in confined magnetoexcitons"phys.stat.sol.. (a) 164, No.1. 567-570 (1997)

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  • [文献書誌] R.Sasagawa: "Enhancement of intersubband transition energies in GaAs quantum wells by Si delta doping of high concentration"Appl.Phys.Lett.. vol.72, No.6. 719-721 (1998)

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  • [文献書誌] H.Akiyama: "Photoluminescence study of lateral confinement energy in T shaped InGaAs quantum wires"Phys.Rev.. B57. 3765 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Microphotoluminescence characterization of cleaved edge overgrowth T-shaped InxGal-xAs quantum wire"Appl.Phys.. Vol.83. 3777-3783 (1998)

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  • [文献書誌] I.Kamiya: "Optical properties of near surface-InAs quantum dots and their formation processes"Physica E. Vol.2. 637-642 (1998)

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  • [文献書誌] G.Yusa: "Trapping of a single photogenerated hole by an InAs quantum dot in GaAs/n-AlGaAs quantum trap FET and its spectral response in the near infrared regime"Physica E. Vol.2. 734-737 (1998)

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  • [文献書誌] N.Qureshi: "Terahertz excitation of AFM-defined room temperature quantum dots"Physica E. Vol.2. 701-703 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura: "Novel magneto-resistance oscillations in laterally modulated two dimensional electrons with 20nm periodicity formed on vicinal GaAs (111)B substrates"Physica E. Vol.2. 944-948 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nagamune: "Time resolved carrier drag effect in quantum wells and wires"Physica E. Vol.2. 843-849 (1998)

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  • [文献書誌] H.Kim: "Formation of GaAs/AlGaAs constricted-channel field-effect transistor structures by focused Ga implantation and transport of electrons via focused ion beam induced localized states"J.Vac.Sci.Technol.. B16(4). (1998)

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  • [文献書誌] S.Watanabe: "Stimulated emission in ridge quantum wire laser structures measured with optical pumping and microscopic imaging methods"Appl.Phys.Lett.. Vol.73(4). 511-513 (1998)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Terahertz dynamics in confined magnetoexcitons"Physica B. Vol.249-251. 527-533 (1998)

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  • [文献書誌] T.Inoshita: "Mixing of terahertz and near-infrared radiation in quantum wells in strong magnetic fields"Physica B. Vol.249-251. 534-537 (1998)

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  • [文献書誌] S.Tsujino: "Negative vertical photovoltaic response of two dimensional electrons in the quantum Hall regime"Physica B. Vol.249-251. 571-574 (1998)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht: "Transient negative photoconductance in a charge transfer double quantum well under optical intersubband excitation"Physica B. Vol.249-251. 723-726 (1998)

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  • [文献書誌] 榊裕之(江沢洋 編): "量子ナノ構造-低次元電子系の物理と機能創出-"(別冊)数理科学「20世紀の物理学」. 188-195 (1998)

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  • [文献書誌] 井下猛: "量子井戸におけるテラヘルツ共鳴サイドバンド発生"日本物理学会誌. Vol.53(9). 700-703 (1998)

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  • [文献書誌] H.Sakaki: "10nm-scale edge-and step quantum wires and related structures : Progress in their design, epitaxial synthesis and physics"Physica. E4. 56-64 (1999)

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  • [文献書誌] G.Yusa: "InAs quantum dot field effect transistors"Superlattices and Microstructures. Vol.25, No.1/2. (1999)

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  • [文献書誌] 平川一彦: "物理学の新局面を拓いた分数量子ホール効果"現代化学. 36. (1999)

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  • [文献書誌] I.Tanaka: "Imaging and probing electronic properties of self-assembled InAs quantum dots by atomic force microscopy with conductive tip"Appl.Phys.Lett.. vol.74, No.6. 844-846 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yamauchi: "Electronic structure of nanometer-scale quantum dots created by a conductive atomic force microscope tip in resonant tunneling structures"App.Phys.Lett.. vol.74, No.11. 1582-1584 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst.of Phys.Conf.Ser.. 162. 143-148 (1999)

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  • [文献書誌] S.Koshiba: "Fabrication and control of GaAs/AlAs 10 nano-meter scale structure by MBE"Trans.of Materials Research Soc.of Japan. 24[1]. 93-96 (1999)

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  • [文献書誌] S.Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J.Cryst.Growth. 201/202. 810-813 (1999)

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  • [文献書誌] I.Tanaka: "Local surface band modulation with MBE-grown InAs quantum dots measured by atomic force microscopy with conductive tip"J.Cryst.Growth. 201/202. 1194-1197 (1999)

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  • [文献書誌] I.Kamiya: "Control of size and density of self-assembled InAs dots on (001)GaAs and the dot size dependent capping process"J.Cryst.Growth. 201/202. 1146-1149 (1999)

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  • [文献書誌] T.Matsusue: "Coherent dynamics of excitons in an Island-Inserted GaAs/AlAs quantum well structure : Suppression of phase relaxation and a deep quantum beat"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 2735-2740 (1999)

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  • [文献書誌] T.Fukumura: "Spontaneous bubble domain formation in a layered ferromagnetic crystal"Science. 284, 5422. 1881-2044 (1999)

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  • [文献書誌] H.Sakaki: "Control of electronic states in epitaxially synthesized quantum dot and wire structures and their potentials as new electronics and photonics materials",,pp, 1999.09"Phys.Stat.Sol.. (b) 215. 291-296 (1999)

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  • [文献書誌] S.Watanabe: "Microscopy of electronic states contributing to lasing in ridge quantum-wire laser structure"Appl.Phys.Lett. 75, 15. 2190-2192 (1999)

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  • [文献書誌] T.Fukumura: "Development of a scanning Hall probe microscope for simultaneous magnetic and topographic imaging"Micron. 30. 575-578 (1999)

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  • [文献書誌] K.Tanaka: "Anomalous conductance quantization in a novel quantum point contact with periodic (16nm) potential modulation"Physica. E, 6. 558-560 (2000)

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  • [文献書誌] D.Kishimoto: "Effect of substrate rotation on inter-surface diffusion in MBE for mesa-structure fabrication"J.of Crystal Growth. 209. 591-598 (2000)

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  • [文献書誌] Ph.Lelong: "Fano profile in Intersubband transitions in InAs quantum dots"Physica. E7. 174-178 (2000)

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  • [文献書誌] D.Kishimoto: "(111)B growth elimination in GaAs MBE of (001)-(111)B mesa structure by suppressing 2D-nucleation"Journal of Crystal Growth. 212. 373-378 (2000)

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  • [文献書誌] 笹川隆平: "量子井戸を吸収層と検出層に用いた波長選択性赤外ボロメータ素子の提案と特性解析"電子情報通信学会論文誌. C vol.J83-C. 525-532 (2000)

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  • [文献書誌] H.Kim: "Quantum storage effects in n-AlGaAs/GaAs heterojunction FETs with embedded InAs QDs and localized states iniduced b Ga-FIB implantation"Physica. E7. 435-439 (2000)

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  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 3264-3267 (1998)

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  • [文献書誌] S.Shimano: "Reliability of Single Electron Transistor Circuits Based on Eb/No-BER Characteristics"Jpn.J.Appl.Phys.. 38(1B). 403-405 (1998)

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  • [文献書誌] C.H.Lee: "Crystallographic Structure and Parasitic Resistances of Self-Aligned Siliside TiSi2/Self-Aligned Nitrided Barrier-Layer/Selective Chemical Vapor Deposited Aluminum in fully Self-Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 5835-5838 (1999)

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  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Superiority of DMAH to DMEAA for Al CVD Technology, submitted to Materials Science in Semiconductor Processing,"2. 303-308 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "High Field Transport Properties of InAs/AlGaSb Quantum Wires"Physica. B227. 363 (1996)

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  • [文献書誌] M.Inoue: "Low-dimensional electron transport properties in InAs/AlGaSb mesoscopic structures"Superlattices and Microstructures. 21. (1996)

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  • [文献書誌] J.Kono: "Terahertz Photoresponse of Quantum Wires in Magnetic Fields"Superlattices and Microstructures. 20. 383 (1996)

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  • [文献書誌] S.Osako: "Quantum anti-dot arrays and quantum wire transistors fabricated on InAs/Al0.5Ga0.5Sb heterostructures"Semicond.Sci.& Technol.. 11. 571 (1996)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "Atomic Force Microscope Nano-fabrication of InAs/AlGaSb Heterostructures"Jpn.J.Appl.Phys. 36. 4067 (1997)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "Superconductor-semiconductor junctions with InAs/Al(Ga)Sb quantum wells"Appl.Surf.Sci.. 117/118. 714 (1997)

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  • [文献書誌] T.Maemoto: "High Speed Quasi-One Dimensional Electron Transport in InAs/AlGaSb Mesoscopic Devices"Phys.Stat.Sol.. 204. 255 (1997)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "AFM fabrication and characterization of InAs/AlGaSb nanostructures"Solid-State Electronics. 42. 1069 (1998)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "InAs/AlGaSb nanoscale device fabrication using AFM oxidation process"Physica. E, 2. 858 (1998)

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  • [文献書誌] S.Osako: "Magnetophonon and magneto intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures"Physica B. 249-251. 740 (1998)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "Coulomb blockade observed in InAs/AlGaSb nanostructures produced by an atomic force microscope oxidation process"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 480 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "Novel nanofabrication process for InAs/AlGaSb heterostructures utilizing AFM oxidation"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 1064 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa: "Electron transport in a large spin-splitting 2DEG in InAs/AlGaSb heterostructures"Physica. B272. 149 (1999)

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  • [文献書誌] T.Maemoto: Physica B. 272. 110 (1999)

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  • [文献書誌] Kenji Taniguchi: "Future Prospects of Single-Electron-Tunneling (SET)-Based Digital Cirsuits"FED Journal. Vol.7, Suppl.2. 32-37 (1997)

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  • [文献書誌] Masaharu Kirihara: "A Single Electron Neuron Device"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.36, No.6B. 4172-4175 (1997)

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  • [文献書誌] Masaharu Kirihara: "Asymmetric Single Electron Turnstile and Its Electronic Circuit Applications"IEICE.Trans.Electron. Vol.E81-C, No.1,. 57-62 (1998)

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  • [文献書誌] 宮川修一: "SPM超微細酸化法を用いた単一電子デバイスの作成",C-II,,pp. (March 1998)."電子情報通信学会論文誌. Vol.J81-C-II No.3. 285-290 (1998)

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  • [文献書誌] Shuichi Miyakawa: "Single Electron Transistors Fabricated with AFM Ultrafine Nanooxidation Process"ELECTRONICS and COMMUNICATIONS in JAPAN, PART II : Electronics. Vol.81, No.10. 12-18 (1998)

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  • [文献書誌] H.Fukui: "Single-Electron Transistor in Silicon-on-Insulator with Schottky-Contact Turnnel Barriers"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 4147 (1997)

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  • [文献書誌] S.Amakawa: "Correlated Electron-Hole Transport in Capacitively-Coupled One Dimensional Tunnel Junction Arrays,"(1997)."Jpn.J.Appl.Phys. 36. 4166 (1997)

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  • [文献書誌] M.Fujishima: "Proposal of a Schottky-Barrier SET Aiming at a Future Integrated Device,."IEICE Trans.Electron. E80-C. 881 (1997)

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  • [文献書誌] S.Amakawa: "Single-Electron Circuit Simulation"IEICE Trans.Electron.. E81-C. 21 (1998)

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  • [文献書誌] S.Amakawa: "A Simple Model of a Single-Electron Floating Dot Memory for Circuit Simulation"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 429 (1998)

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  • [文献書誌] S.Amakawa: "Scaling of the Single-Electron Tunneling Current through Ultrasmall Tunnel Junctions"J.Phys.C : Condensed Matter. 12. 7223 (2000)

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  • [文献書誌] T.T.Ngo, P.M.Petroff, H.Sakaki, and J.L.Merz: "Simulation model for self ordering of strained islands in molecular beam epitaxy"Phy.Rev.B. 53 (15). 9618-9621 (1996)

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  • [文献書誌] D.Dixon, L.P.Kouwenhoven, P.L.McEuen., Y Nagamune, J.Motohisa and H.Sakai: "Influence of energy level alignment on tunneling between coupled quantum dots"Phys.Rev.B. vol.53, no.19. 12625-12628 (1996)

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  • [文献書誌] P.D.Wang, J.L.Merz, S.Fafard, R.Leon. D.Leonard, G.Medeiros-Ribeiro, M.Oestreich, P.M.Petroff, K.Uchida, N.Miura, H.Akiyama and H.Sakaki: "Magneto Iuminescence studies of Iny All-yAs self-asssembled quaaantum dots in AIGaAs matrices"Phys.Rev.B. 53 (24). 16458-16461 (1996)

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  • [文献書誌] H.Akiyama, T.Someya and H.Sakaki: "Concentrated oscillaton strength of one-dimensional excitons in quantum wires observed with photoluminescence excitation spectroscopy"Phys.Rev.B. 53 (24). R16160-R15163 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Ohno, M.Foley, and H.Sakaki: "Magnetotransport and interlalyer-edge channel tunneling of two-dimensional electrons in a double quantum well system"Phys.Rev.B. 54 (4). R2319-R2322 (1996)

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  • [文献書誌] D.Dixon, L.P.Kouwenhoven, P.L.McEuen, Y.Nagamune, J.Motohisa and H.Sakaki: "Linear and non-linear transport through coupled quantum dots"Surf.Sci.. vol. 361-362. 636-639 (1996)

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  • [文献書誌] L.P.Kouwenhoven, N.C van der Vaart, Yu.V.Nazarov, S.Jauhar., D.Dixon, K.McCormick, J.Orenstein, P.L.McEuen, Y.Nagamune, J.Motohisa and H.Sakaki: "High-frequency transport through mesoscopic structures"Surf.Sci.. vol. 361-362. 591-594 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Ohno and H.Sakaki: "Suppression of resonant tunneling in a coupled quantum well"Surf.Sci.. 361-362. 142-145 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura, I.Tanaka, N.Takeuchi, S.Koshiba, H.Noge, and H.Sakaki: "Surface smoothness and step bunching on GaAs (111) B facet formed by molecular beam epitaxy"Japanese Journal of Applied Physics.. 38. 1115-1118 (1999)

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  • [文献書誌] J.Kono, Y.Nakamura, X.G.Peralta, J.Cerne, S.J.Allen, H.Akiyama, T.Sugihara, S.Sasa, and M.Inoue: "Terahertz photoresponse of quantum wires in magnetic fields"Superlattices and Microstructures. 20. 383-387 (1996)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura, S.Koshiba and H.Sakaki: "Large conductance anisotropy in a novel two dimensional electron system grown on vicinal (111) B GaAs with multi-atomic steps"Appl.Phys.Lett.. 69 (26). 4093-4095 (1996)

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  • [文献書誌] M.Narihiro, G.Yusa, Y.Nakamura, T.Noda, and H.Sakaki: "Resonant tunneling of electrons via 20 nm-scale InAs quantum dot and magnetotunneling spectroscopy of its electronic states"Appl.Phys.Lett.. 70 (1). 105-107 (1997)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht, S.Tsujino, Y.Ohno, and H.Sakaki: "Delayed luminescence induced by intersubband optical excitation in a charge transfer double quantum well structure"Appl.Phys.Lett.. 70 (9). 1128-1130 (1997)

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  • [文献書誌] G.Yusa and H.Sakaki: "Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots and persistent photoconductivity in novel GaAs/n-AlGaAs field-effect transistor structures"Appl.Phys.Letts.. 70. (1997)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura, S.Koshiba, H.Sakaki: "Formation of multi-atomic steps and novel n-AlGaAs/GaAs hetero junctions on vicina (111) B substrates by MBE and anisotropic transport of 2D electrons"J.Cryst.Growth. 175-176. 1091-1095 (1997)

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  • [文献書誌] G.Yusa and H.Sakaki: "MBE growth of novel GaAs/n-AlGaAs field-effect ransistor structures with embedded InAs quantum traps and their transport characteristics"J.Cryst.Growth. 175-176. 729-734 (1997)

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  • [文献書誌] S.Koshiba, I.Tanaka, Y.Nakamura, I.Kamiya, T.Someya, T.Ngo and H.Sakaki: "UHV-AFM Study of MBE grown 10-nm scale ridge quantum wires"J.Crystal Growth. 175-176. 803-807 (1997)

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  • [文献書誌] T.Noda, Y.Nagumune, Y.Ohno, S.Koshiba, and H.Sakaki: "Selective MBE growth of GaAs wire and dot structures using atomic hydrogen and their electronic properties"J.Cryst.Growth. 175-176. 786-791 (1997)

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  • [文献書誌] T.Inoshita, H.Sakai: "Electron-phonon interaction and the so-called phonon bottleneck in a semiconductor quantum dots"Physica B. 227. 373-377 (1997)

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  • [文献書誌] T.Inoshita, H.Sakaki: "Density of states and phonon-induced relaxation ofelectrons in semiconductor quantum dots"Phys.Rev., Vol. B. 56. 4355-4358 (1997)

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  • [文献書誌] M.Kuwata-Gonokami, S.Inouye, H.Suzuura, M.Shirane, R.Shimono, T.Someya and H.Sakaki: "Parametric scattering of cavity polaritons"Phys.Rev. Lett.. vol.79, No.7. 1341-1344 (1997)

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  • [文献書誌] J.Kono, M.Y.Su, T.Inoshita, T.Noda, M.S.Sherwin, S.J.Allen, Jr., and H.Sakaki: "Resonant terahertz optical sideband generation from confined magnetoexcitons"Phys.Rev.Lett.. vol.79, No.9. 1758-1761

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  • [文献書誌] H.Akiyama, T.Someya, and H.Sakaki: "Spectroscopy of one-dimensional excitons in GaAs quantum wires"Materials Science Engineering. B48. 126-130 (1997)

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  • [文献書誌] S.Tsujino, C.Metzner, T.Noda, and H.Sakaki: "Saturation of intersubband absorption by real-space transfer in modulation doped single GaAs-AlAs quantum well"phys.stat.sol. (b). 204, No.1. 162 (1997)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht, and H.Sakaki: "Oscillatory behavior of relaxation of hot electrons in a biased charge transfer double quantum well"phys.stat.sol. (b). 204, No.1. 151 (1997)

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  • [文献書誌] K.B.Nordstrom, K.Johnsen, S.J.Allen, Jr., A.-P.Jauho, B.Birnir, J.Kono, T.Noda, H.Akiyama, and H.Sakaki: "Observation of dynamical Franz-Keldysh effect"phys.stat.sol. (b). 204, No.1. 52 (1997)

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  • [文献書誌] H.Sakaki, T.Someya, H.Akiyama, Y.Nakamura, K.Kondo, and D.Kishimoto: "Formation of 10 nm scale edge quantum wire structures and their excitonic and electronic properties"phys.stat.sol. (a). 164, No.1. 241-251 (1997)

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  • [文献書誌] C.Metzner, G.G.Dohler, and H.Sakaki: "Localization of quantum well excitons by lateral disorder. a numerical study"phys.stat.sol. (a). 164, No.1. 471-476 (1997)

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  • [文献書誌] J.Kono, M.Y.Su, K.B.Nordstrom, J.Cerne, M.S.Sherwin, S.J.Allen, Jr., T.Inoshita, T.Noda, H.Sakaki, G.E.W.Bauer, M.Sundaram, and A.C.Gossard: "Terahertz linear and nonlinear dynamics in confined magnetoexcitons"phys.stat.sol. (a). 164, No. 1. 567-570 (1997)

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  • [文献書誌] R.Sasagawa, H.Sugawara, Y.Ohno, H.Nakajima, and S.Tsujino: "Enhancement of intersubband transition energies in GaAs quantum wells by Si delta doping of high concentration"Appl.Phys.Lett.. vol.72, No.6. 719-721 (1998)

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  • [文献書誌] H.Akiyama, T.Someya, M.Yoshita, and H.Sakaki: "Photoluminescence study of lateral confinement energy in T shaped InGaAs quantum wires"Phys.Rev.B. 57. 3765 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yoshita, H.Akiyama, T.Someya, H.Sakaki: "Microphotoluminescence characterization of cleaved edge overgrowth T-shaped InxGa1-xAs quantum wires"J.appl.Phys.. Vol.83 (7). 3777-3783 (1998)

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  • [文献書誌] I.Kamiya, I.Tanaka, H.Sakaki: "Optical properties of near surface-InAs quantum dots and their formation processes"Physica E.. Vol.2. 637-642 (1998)

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  • [文献書誌] G.Yusa, H.Sakaki: "Trapping of a single photogenerated hole by an InAs quantum dot in GaAs/n-AlGaAs quantum trap FET and its spectral response in the near infrared regime"Physica E.. Vol.2. 734-737 (1998)

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  • [文献書誌] N.Qureshi, J.S.Scott, S.J.Allen Jr., M.Reddy, M.J.W.Rodwell, Y.Nakamura, I.Tanaka, T.Noda, I.Kamiya, H.Sakaki: "Terahertz excitation of AFM-defined room temperature quantum dots"Physica E.. Vol.2. 701-703 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura, T.Inoshita, H.Sakaki: "Novel magneto-resistance oscillations in laterally modulated two dimensional electrons with 20nm periodicity formed on vicinal GaAs (111) B substrates"Physica E.. Vol.2. 944-948 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nagmune, M.Wantanabe, M.Seyama, K.Kinoshita, Y.Inagaki, A.Takahashi, T.Noda, H.Sakaki: "Time resolved carrier drag effect in quantum wells and wires"Physica E.. Vol.2. 843-849 (1998)

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  • [文献書誌] H.Kim, T.Noda, and H.Sakaki: "Formation of GaAs/AlGaAs constricted-channel field-effect transisto structures by focused Ga implantation and transport of electrons via focused ion beam induced localized states"J.Vac.Sci.Technol. B. 16 (4). 7-8 (1998)

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  • [文献書誌] S.Watanabe, S.Koshiba, M.Yoshita, H.Sakaki, M.Baba, and H.Akiyama: "Stimulated emission in ridge quantum wire laser structures measured with optical pumping and microscopic imaging methods"Appl.Phys.Lett.. Vol.73 (4). 511-513 (1998)

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  • [文献書誌] J.Kono, M.Y.Su, J.Cerne, M.S.Sherwin, S.J.Allen Jr., T.Inoshita, T.Noda, H.Sakaki: "Terahertz dynamics in confined magnetoexcitons"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. 4651-4652 (2000)

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  • [文献書誌] T.Inoshita and H.Sakaki: "Mixing of terahertz and near-infrared radiation in quantum wells in strong magnetic fields"Physica B. Vol.249-251. 534-537 (1998)

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  • [文献書誌] S.Tsujino, H.Nakajima, T.Inoshita, T.Noda, H.Sakaki: "Negative vertical photovoltaic response of two dimensional electrons in the quantum Hall regime"Physica B. Vol.249-251. 571-574 (1998)

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  • [文献書誌] M.Rufenacht, S.Tsujino, H.Sakaki: "Transient negative photoconductance in a charge transfer double quantum well under optical intersubband excitation"Physica B. Vol.249-251. 723-726 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yamauchi, Y.Nakamura, H.Sakaki: "Edge quantum wire structures with novel doping profiles and their electronic states"Solid-State Electronics. Vol.42 (7-8). 1223-1226 (1998)

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  • [文献書誌] K.B.Nordstrom, K.Johnsen, S.J.Allen, A.-P.Jauho, B.Birnir, J.Kono, T.Noda, H.Akiyama, H.Sakaki: "Excitonic dynamical Franz-Keldysh effect"Phys.Rev.Lett.. Vol.81 (2). 457-460 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nakamura, H.Sakaki: "Anisotropic magneto-resistance of laterally modulated GaAs/AlGaAs system with a 15 20nm periodicity formed on vicinal (111) B substrates"Phisica B. 256-258. 273-278 (1998)

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  • [文献書誌] M.Shirane and C.Ramkumar, Yu.P.Svirko, H.Suzuura, S.Inouye, R.Shimano, T.Someya, H.Sakaki, M.Kuwata-Gonokami: "Degenerate four-wave mixing measurements on an exciton-photon coupled system in a semiconductor microcavity"Phys.Rev.B.. Vol.58 (12). 7978-7985 (1998)

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  • [文献書誌] Y.Nakanmura, I.Tanaka, N.Takeuchi, S.Koshiba, H.Sakaki: "Formation of uniform GaAs multi-atomic steps with 20-30nm periodicity and related structures on vicinal (111) B planes by MBE"J.Electronic Materials. Vol.27 (11). 1240-1243 (1998)

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  • [文献書誌] M.Yoshita, M.Baba, S.Koshiba, H.Sakaki, And H.Akiyama: "Solid immersion photoluminescence microscopy on carrier diffusion in facet-growth GaAs quantum wells"Appl.Phys.Lett.. Vol.73 (20). 2965-2967 (1998)

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  • [文献書誌] H.Sakaki, Y.Nakamura, M.Yamauchi, T.Someya, H.Akiyama, D.Kishimoto: "10nm-scale edge- and step quantum wires and related structures : Progress in their design, epitaxial synthesis and physics"Physica E. 4. 56-64 (1999)

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  • [文献書誌] G.Yusa and H.Sakaki: "InAs quantum dot field effect transistors"Superlattices and Microstructures. Vol.25, No.1/2. (1999)

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  • [文献書誌] I.Tanaka, I.Kamiya, H.Sakaki, N.Qureshi, S.J.Allen, Jr., P.M.Petroff: "Imaging and probing electronic properties of self-assembled InAs quantum dots by atomic force microscopy with conductive tip"Appl.Phys.Lett.. vol.74, No.6. 844-846 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yamauchi, T.Inoshita, H.Sakaki: "Electronic structure of nanometer-scale quantum dots created by a conductive atomic force microscope tip in resonant tunneling structures"Appl.Phys.Lett.. vol.74, No.11. 1582-1584 (1999)

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  • [文献書誌] M.Yoshita, T.Sasaki, M.Baba, S.Koshiba, H.Sakaki, and H.Akiyama: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"Inst.of Phys.Conf.Ser.162 "Compound Semiconductors". 143-148 (1999)

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  • [文献書誌] Ph.Lelong, and H.Sakaki: "Capacitor feedback in double quantum dot plane"Inst.of Phys.Conf.Ser.162 "compound Semiconductors". 463-468 (1999)

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  • [文献書誌] C.Metzner, G.Yusa, and H.Sakaki: "Modelling inter-dot Coulomb interaction effects in field effect transistros with an embedded quantum dot layer"Superlattices and Microstructures. 25, 3. 537-549 (1999)

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  • [文献書誌] S.Koshiba, S.Watanabe, Y.Nakamura, I.Tanaka, T.Noda, T.Ngo, M.Yoshita, M.Baba, H.Akiyama, and H.Sakaki: "Fabrication and control of GaAs/AlAs 10 nano-meter scale structure by MBE"Trans.of Materials Research Soc. of Japan. 24 [1]. 93-96 (1999)

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  • [文献書誌] S.Koshiba, S.Watanabe, Y.Nakamura, M.Yamauchi, M.Yoshita, M.Baba, H.Akiyam, and H.Sakaki: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge stuctures containing 10nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J.Cryst.Growth. 201/202. 810-813 (1999)

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  • [文献書誌] I.Tanaka, I.Kamiya, and H.Sakaki: "Local surface band modulation with MBE-grown InAs quantum dots measured by atomic force micorscopy with conductive tip"J.Cryst.Growth.. 201/202. 1194-1197 (1999)

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  • [文献書誌] I.Kamiya, I.Tanaka, and H.Sakaki: "Control of size and density of self-assembled InAs dots on (001) GaAs and the dot size dependent capping process"J.Cryst.Growth. 201/202. 1146-1149 (1999)

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  • [文献書誌] T.Matsusue, H.Akiyama, T.Saiki, C.Ramkumar, M.Shirane, R.Shimano, M.Kuwata-Gonokami and H.Sakaki: "Coherent dynamics of excitons in an Island-Inserted GaAs/AlAs quantum well structure : Suppression of phase relaxation and a deep quantum beat"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 2735-2740 (1999)

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  • [文献書誌] T.Fukumura, H.Sugawara, T.Hasegawa, K.Tanaka, H.Sakaki, T.Kimura, and Y.Tokura: "Spontaneous bubble domain formation in a layered ferromagnetic crystal"Science. 284, 5422. 1881-2044 (1999)

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  • [文献書誌] H.Sakaki: "Control of electronic states in epitaxially synthesized quantum dot and wire structures and their potentials as new electronics and photonics materials"Phys.Stat.Sol. (b). 215. 291-296 (1999)

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  • [文献書誌] S.Watanabe, S.Koshiba, M.Yoshita, H.Sakaki, M.Baba, and H.Akiyama: "Microscopy of electronic states contributing to lasing in ridge quantum-wire laser structure"Appl.Phys.Lett.. 75, 15. 2190-2192 (1999)

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  • [文献書誌] T.Fukumura, H.Sugawa, K.Kitazawa, T.Hasegawa, Y.Nagamune, T.Noda, H.Sakaki: "Development of a scanning Hall probe microscope for simultaneous magnetic and topographic imaging"Micron. 30. 575-578 (1999)

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  • [文献書誌] K.Tanaka, Y.Nakamura, H.Sakaki: "Anomalous conductance quantization in a novel quantum point contact with periodic (16nm) potential modulation"Physica. E. 6. 558-560 (2000)

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  • [文献書誌] D.Kishimoto, T.Noda, Y.Nakamura, H.Sakaki, T.Nishinaga: "Effect of substrate rotation on inter-surface diffusion in MBE for mesa-structure fabrication"J.of Crystal Growth. 209. 591-598 (2000)

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  • [文献書誌] Ph.Lelong, S.-W.Lee, K.Hirakawa, H.Sakaki: "Fano profile in Intersubband transitions in InAs quantum dots"Physica E. 7. 174-178 (2000)

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  • [文献書誌] D.Kishimoto, T.Nishinaga, S.Naritsuka, T.Noda, Y.Nakamura, H.Sakaki: "(111) B growth elimination in GaAs MBE of (001)-(111) B mesa structure by suppressing 2D-nucleation"Journal of Crystal Growth. 212. 373-378 (2000)

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  • [文献書誌] H.Kim, H.Sakaki: "Quantum storage effects in n-AlGaAs/GaAs heterojunction FETs with embedded InAs QDs and Iocalized states iniduced by Ga-FIB implantation"Physica E. 7. 435-439 (2000)

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  • [文献書誌] H.Matsuhashi, A.Gotoh, C.-H.Lee, M.Yokoyama, K.Masu and K.Tsubouchi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor"Jpn.J.Appl.Phys.. 37. 3264-3267 (1998)

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  • [文献書誌] S.Shimano, K.Masu and K.Tsubouchi: "Reliability of Single Electron Transistor circuits Based on Eb/No-BER Characteristics"Jpn.J.Appl.Phys.. 38 (1B). 403-405 (1999)

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  • [文献書誌] C.H.Lee, T.Nishimura, H.Matsuhashi, M.Yokoyama, K.Masu and K.Tsubouchi: "Crystallographic Structure and Parasitic Resistances of Self-Aligned Siliside TiSi2 /Self- Aligned Nitrided Barrier-Layer/ Selective Chemical Vapor Deposited Aluminum in fully Self- Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 5835-5838 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Sugihara, K.Tada, S.Izumiya, Y.Yamamoto, and M.Inoue: "High Field Transport Properties of InAs/AlGaSb quantum Wires"Physica B. 227. 363 (1996)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Sugihara, K.Tada, S.Izumiya, Y.Yamamoto, and M.Inoue: "High Field Transport Properties of InAs/AlGaSb Quantum Wires"Procs. of New Phenomena in Mesoscopic Structures NPMS'95. 363 (1996)

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  • [文献書誌] M.Inoue, T.Sugihara, T.Maemoto, S.Sasa, H.Dobashi, and S.Izumiya: "Low-dimensional electron transport properties in InAs/AlGaSb mesoscopic structures"Superlattices and Microstructures. 21. 1 (1996)

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  • [文献書誌] J.Kono, X.G.Peralta, J.Cerne, S.J.Allen, Jr., Y.Nakamura, H.Akiyama, H.Sakaki, t.Sugihara, S.Sasa, and M.Inoue: "Terahertz Photoresponse of Quantum Wires in Magnetic Fields"Superlattices and Microstructures. 20. 383 (1996)

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  • [文献書誌] S.Osako, t.Sugihara, Y.Yamamoto, T.Maemoto, S.Sasa, M.Inoue, and C.Hamaguchi: "Quantum anti-dot arrays and quantum wire transistors fabricated on InAs/A10.5Ga0.5Sb heterostructures"Semicond. Sci.& Technol.. 11. 571 (1996)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, C.Dohno and M.Inoue: "Atomic Force Microscope Nano-fabrication of InAs/AlGaSb Heterostructures"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 4067 (1997)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, C.Dohno and M.Inoue: "Superconductor-semiconductor juncitons with InAs/Al(Ga)Sb quantum wells"Appl.Surf.Sci.. 117/118. 714 (1997)

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  • [文献書誌] T.Maemoto, H.Yamamoto, M.Konami, A.Kajiuchi, T.Ikeda, S.Sasa, and M.Inoue: "High Speed Quasi-One Dimensional Electron Transport in InAs/AlGaSb Mesoscopic Devices"Phys.Stat.Sol.. 204. 255 (1997)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, A.Kajiuchi, and M.Inoue: "AFM fabrication and characterization of InAs/AlGaSb nanostructures"Solid-State Electroics. 42. 1069 (1998)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, C.Dohno, and M.Inoue: "InAs/AlGaSb nanoscale device fabrication using AFM oxidation process"Physica E. 2. 858 (1998)

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  • [文献書誌] S.Osako, T.Hamano, N.Mori, C.Hamaguchi, S.Sasa, and M.Inoue: "Magnetophonon and Magneto intersubband-scattering effects in InAs/AlGaSb heterostructures"Physica B. 249-251. 740 (1998)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, A.Kajiuchi, and M.Inoue: "Coulomb blockade observed in InAs/AlGaSb nanostructures produced by an atomic force microscope oxidation process"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 480 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa, T.Ikeda, M.Akahori, A.Kajiuchi, and M.Inoue: "Novel nanofabrication process for InAs/AlGaSb heterostructures utilizing AFM oxidation"Jpn.J.Appl.Phys. 38. 1064 (1999)

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  • [文献書誌] S.Sasa, K.Anjiki, T.Yamaguchi, and M.Inoue: "Electron transport in a large spin-splitting 2DEG in InAs/AlGaSb heterostructures"Physica B. 272. 149 (1999)

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  • [文献書誌] Kenji Taniguchi and Masaharu Kirihara: "Future Prospects of Single-Electron-Tunneling (SET)-Based Digital Cirsuits"FED Journal. Vol.7, Suppl.2. 32-37 (1997)

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  • [文献書誌] Masaharu Kirihara and Kenji Taniguchi: "A Single Electron Neuron Device"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.36, No.6B. 4172-4175 (1997)

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  • [文献書誌] Masaharu Kirihara and Kenji Taniguchi: "Asymmetric Single Electron Turnstile and Its Electronic Circuit Applications"IEICE.Trans.Electron.. Vol.E81-C, No.1. 57-62 (1998)

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  • [文献書誌] Shuichi Miyakawa, Ryangsu Kim, Jun-ichi Shirakashi, Kenji Taniguchi, Kazuhiko Matsumoto, and Yoshinari Kamakura: "Single Electron Transistors Fabricated with AFM Ultrafine Nanooxidation Process"ELECTRONICS and COMMUNICATIONS in JAPAN, PART II : Electronics. Vol.81, No.10. 12-18 (1998)

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  • [文献書誌] H.Fukui, M.Fujishima and K.Hoh: "Single-Electron Transistor in Silicon-on-Insulator with Schottky-Contact Tunnel Barries"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 4147 (1997)

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  • [文献書誌] S.Amakawa, M.Fujishima and K.Hoh: "Correlated Electron-Hole Transport in Capacitively-Coupled One Dimensional Tunnel Junction Arrays"Jpn.J.Appl.Phys.. 36. 4166 (1997)

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  • [文献書誌] M.Fujishima, H.Fukui, S.Amakawa and K.Hoh: "Proposal of a Schottky-Barrier SET Aiming at a Future Integrated Device"IEICE Trans. Electron.. E80-C. 881 (1997)

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  • [文献書誌] S.Amakawa, K.Kanda, M.Fujishima and K.Hoh: "A Simple Model of a Single-Electron Floating Dot Memory for Circuit Simulation"Jpn.J.Appl.Phys.. 38. 429 (1999)

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  • [文献書誌] S.Amakawa, K.Hoh, M.Fujishima, H.Mizuta and K.Tsukagoshi: "Scaling of the Single-Electron Tunneling Current through Ultrasmall Tunnel Junctions"J.Phys.C : Condensed Matter. 12. 7223 (2000)

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  • [文献書誌] S.O'uchi, T.Tsubokura, T.Tajima, S.Amakawa, M.Fujishima and K.Hoh: "Charging and Retention Times in Silicon-Floating-Dot-Single-Electron Memory"Jpn.J.App.Phys.. 40 (in press). (2001)

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  • [文献書誌] Ph. Lelong: "Capacitor feedback in double quantum dot plane"Inst. of Phys. Conf. Ser. 162 "Compound Semiconductor". 463-468 (1999)

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  • [文献書誌] 西村隆生: "Direct liquid injection system を用いたAl-CVD堆積速度の向上"1999年春季第46回応用物理学関係連合講演会. 29p-ZQ-5. (1999)

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  • [文献書誌] S.O'uchi: "Simulation of a single-electron flash memory" Collected Abstracts of 1998 Int.symp.on Formation,Physics and Device Application of Quantum Dot Structures. 78-79 (1998)

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  • [文献書誌] M.Tabe: "Simulation of visible light induced effects in a tunnel junction array for photonic device applications" Japanese Journal Applied Physics. Vol.38(1) No.1B. 593-596 (1999)

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  • [文献書誌] N.J.Wu: "Boltzmann machine neuron device using quantum-coupled sigle electrons" Applied Physics Letter. Vol.72 No.24. 3214-3216 (1998)

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  • [文献書誌] R.A.Hogg: "Optical Spectroscopy of self-assembled type II GaSb/GaAs quantum dot structures grown by molecular beam epitaxy" Applied Physics Letter. Vol.72 No.22. 2856-2858 (1998)

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公開日: 1996-04-01   更新日: 2019-02-15  

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