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半導体中のバリスティックエレクトロンを観測する新しいSTM技術の研究

研究課題

研究課題/領域番号 08405023
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東京工業大学

研究代表者

古屋 一仁  東京工業大学, 工学部, 教授 (40092572)

研究分担者 須原 理彦  東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 助手 (80251635)
宮本 恭幸  東京工業大学, 工学部, 助教授 (40209953)
研究期間 (年度) 1996 – 1997
研究課題ステータス 完了 (1997年度)
配分額 *注記
25,400千円 (直接経費: 25,400千円)
1997年度: 2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1996年度: 23,100千円 (直接経費: 23,100千円)
キーワードホットエレクトロン / STM / ホットエレクトロンエミッタ / STMにおけるノイズ電流 / 位相同期検出 / 低仕事関数金属 / ノイズ除法 / 低仕事関数 / 超高真空STM
研究概要

固体中を表面に向かって走行するバリスティックホットエレクトロン(以下HE)を、試料表面に近接させたSTM探針で検出しHEの空間およびエネルギー分布を測定する新しいSTM技術(走査型ホットエレクトロン顕微鏡(Scanning Hot Electron Microscopy、SHEM)を提案・実証した。探針試料間距離を十分に小さくしポテンシャルバリア高をHEエネルギーより低くするための、サンプルおよび探針材料の仕事関数、トンネル電圧、そして探針試料間距離の間に要求される関係を論理的に明らかにした。大気中で実験可能な材料を用いた実証実験を設計した。Si/CaF2/Auヘテロ接合でバンド曲がりを考慮してHE放射特性を解析しHEエネルギー5eV、10KA/cm2以上の電流密度が得られることを明らかにし、10μm2の微小エミッタ面積をもつ試料をフォトリソグラフィを用いて作製し理論通りの放射特性を確認した。SHEM測定実験を行い、試料に直流電圧3V、交流電圧を振幅170mV、周波数82Hzで印加し、トンネル電圧1.5Vを印加し測定を行った。探針試料間距離を減少していくとある距離で同期検出信号が急増することを確認し、HE電流検出を初めて達成した。測定では1データポイントあたり1時間程度の積分時間と好条件が整う必要があった。高速化のためにノイズ低減を研究した。まず理論的に探針振動によるトンネル電流変動を求め、これが最小になる測定条件を求め、除振装置で取りきれない残留振動振幅と測定可能な最小HE電流密度を明らかにした。ついでSHEM装置でトンネル電流波形をディジタル記録し電力密度スペクトルを解析した結果、10秒の同期検出積分時間で1pAまでのHE電流が測定可能であることを明らかにした。提案した新しい技術によりHE検出データを組織的に取得することを可能にした。HE空間分布測定、低仕事関数金属堆積による半導体中の低エネルギHE観測は今後の課題として残された。

報告書

(3件)
  • 1997 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1996 実績報告書
  • 研究成果

    (40件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (40件)

  • [文献書誌] F.Vazquez, 他: "Possibility of hot electron detection with a scanning probe microscope" Physica B. vol.227. 68-72 (1996)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, 他: "Proposal of a Technique to Detect Subsurface Hot Electrons with a Scanning Probe Microscope" Jan.J.Appl.Phys.Vol.35,no.2B. 1306-1310 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, 他: "Detecting subsurface hot electrons with a scanning probe microscopy" J.Appl.Phys.Vol.79,no.2. 651-655 (1996)

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  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs" Jpn. J. Appl. Phys.vol.35,no.8A. L964-L967 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, 他: "Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy" Appl.Phys.Lett.vol.69,no.15. 2196-2198 (1996)

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  • [文献書誌] R.Takemura, 他: "Current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes including coherent and incoherent tunneling process" IEICE of Jpn.vol.E-79C no.11. 1525-1529 (1996)

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  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "Seventy nm pitch patterning on CaF2 by e-beam exposure : An inorganic resist and a contamination resist" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35,no.12. 6342-6343 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "Hot electron interference by 40nm-pitch double slit buried in semiconductor" Microelectronic Engineering. vol.35. 337-340 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "A 40nm pitch double slit experiment of hot electrons in a semiconductor under a magnetic field" Appl. Phys. Lett.vol.70. 93-95 (1997)

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  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs toward hot electron interference/diffraction devices" Microelectronic Engineering. vol.35. 241-244 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Takemura, 他: "High-temperature estimation of phase coherent length of hot electron using GaInAs/InP triple-barrier resonant tunneling diodes grown by OMVPE" Jpn. J. Appl. Phys.vol.36. 1846-1848 (1997)

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  • [文献書誌] T.Oobo, 他: "High paek-to-valley current ratio GaInAs/CaInP resonant tunneling diodes" Jpn. J. Appl. Phys.vol.36,no.8. 5079-5080 (1997)

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  • [文献書誌] D.Kobayashi, 他: "Estimation of lateral resolution in scanning hot electron microscope" Jpn. J. Appl. Phys.vol.36,no.7A. 4472-4473 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, 他: "Influence of a finite energy width on the hot electron double-slit interferece experiment : A design of the emitter structure" J. Appl. Phys.vol.182,no.8. 3846-3852 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, K.Furuya and D.Kobayashi: "Possibility of hot electron detection with a scanning probe microscope" Physica B. vol.227. 68-72 (1996)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, K.Furuya and D.Kobayashi: "Proposal of a Technique to Detect Subsurface Hot Electrons with a Scanning Probe Microscope" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35, no.2B. 1306-1310 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, K.Furuya and D.Kobayashi: "Detecting subsurface hot electrons with a scanning probe microscopy" J.Appl.Phys.vol.79, no.2. 651-655 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, H.Tanaka, Y.Miyamoto, J.Yoshinaga, and K.Furuya: "Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35, no.8A. L964-L967 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] F.Vazquez, D.Kobayashi, I.Kobayashi, Y.Miyamoto, K.Furuya, W.Saitoh, M.Watanabe and M.Asada: "Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy" Appl.Phys.Lett.vol69, no.15. 2196-2198 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Takemura, M.Suhara, Y.Miyamoto, K.Furuya, and Y.Nakamura: "Current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes including coherent and incoherent tunneling process" IEICE of Jpn.vol.E-79C,no.11. 1525-1529 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, T.Hattori, Y.Miyamoto, K.Furuya, K.Matsunuma, M.Watanabe, and M.Asada: "Seventy nm pitch patterning on CaF2 by e-beam exposure : An inorganic resist and a contamination resist" Jpn.J.Appl.Phys.vol.35, no.12. 6342-6343 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, Y.Miyamoto, M.Suhara and K.Furuya: "Hot electron interference by 40nm-pitch double slit buried in semiconductor" Microelectronic Engineering. vol.35. 337-340 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, Y.Miyamoto, M.Suhara and K.Furuya: "A 40nm pitch double slit experiment of hot electrons in a semiconductor under a magnetic field" Appl.Phys.Lett.vol.70. 93-95 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, H.Tanaka, Y.Miyamoto, T.Otake, J.Yoshinaga and K.Furuya: "Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs toward hot electron interference/diffraction devices" Microelectronic Engineering. vol.35. 241-244 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Takemura, M.Suhara, T.Oobo, Y.Miyamoto and K.Furuya: "High-temperature estimation of phase coherent length of hot electron using GaInAs/InP triple-barrier resonant tunneling diodes grown by OMVPE" Jpn.J.Appl.Phys.vol.36. 1846-1848 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.OObo, R.Takemura, M.Suhara, Y.Miyamoto, K.Furuya: "High peak-to-valley current ratio GaInAs/GaInP resonant tunneling diodes." Jpn.J.Appl.Phys.vol.36, no.8. 5079-5080 (1997)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] D.Kobayashi, K.Furuya, N.Kikegawa, and F.Vazquez: "Estimation of lateral resolution in scanning hot electron microscope" Jpn.J.Appl.Phys.vol.36, no.7A. 4472-4473 (1997)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Hongo, Y.Miyamoto, M.Gault and K.Furuya: "Influence of a finite energy width on the hot electron double-slit interference experiment : A design of the emitter structure" J.Appl.Phys.vol.82, no.8. 3846-3852 (1997)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Hongo 他: "Hot electron interference by 40nm-pich double slit buried in Semiconductor" Microelectronic Engineering. Vol. 35. 337-340 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] H. Hongo 他: "A 40nm pitch double Slit experiment of hot electrons ira Semiconductor under a magretic field" Appl. Phys. Lett.Vol. 70. 93-95 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] H. Hongo 他: "Electrical propertions of 100nm pich Cr/Au tine electrocodes with 40nm width on GaInAs toward hot electron interference/diffraction alvices." Microelectronic Engineering. Vol. 35. 241-244 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] R. Takemura 他: "High-Temperature estimation of pnase coherent length of rot electron using GaInAs/InP triple-barrier resonant tunneling diodos grown by OMVPE" Jpn. J. Appl. Phys.Vol. 36. 1846-1848 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] T. Oobo 他: "High peak-to-valiey current ratio GaInAs/GaInP resonant tunneling diodes" Jpn. J. appl. Phys.36,8. 5079-5080 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] D. Kobayashi 他: "Estimation of lateral in scanning hot electron microscope" Jpn. J. Appl. Phys.36,7A. 4472-4473 (1997)

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      1997 実績報告書
  • [文献書誌] H. Hongo他: "Influence of a tinite energy width on the hot electron double-slit interierece experiment : A design of the emitter structure" J. Appl. Phys.82、8. 3846-3852 (1997)

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      1997 実績報告書
  • [文献書誌] F.Vazquez,K.Furuya and D.Kobayashi: "Detecting subsurface hot electrons with a scanning probe microscopy" J.Appl.Phys.79・2. 651-655 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] H.Hongo,H.Tanaka,Y.Miyamoto,J.Yoshinaga,and K.Furuya: "Electrical properties of 100nm pitch Cr/Au fine electrodes with 40nm width on GaInAs" Jpn.J.Appl.Phys.35・8A. L964〜L967 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] F.Vazquez,D.Kobayashi,I.Kobayashi,Y.Miyamoto,K.Furuya,et.al.: "Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy" Appl.Phys.Lett.69・15. 2196-2198 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] R.Takemura,M.Suhara,Y.Miyamoto,K.Furuya,and Y.Nakamura: "Current-voltage characteristics of triple-barrier resonant tunneling diodes including coherent and incoherent tunneling process" IEICE of Jpn.E-79C・11. 1525-1529 (1996)

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      1996 実績報告書
  • [文献書誌] H.Hongo,T.Hattori,Y.Miyamoto,K.Furuya,K.Matsunuma,et.al.: "Seventy nm pitch patterning on CaF2 by e-beam exposure:An inorganic resist and a contamination resist" Jpn.J.Appl.Phys.35・12. 6342-6343 (1996)

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      1996 実績報告書

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公開日: 1996-04-01   更新日: 2016-04-21  

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