| 研究課題/領域番号 |
08454083
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
西垣 敏 九州工業大学, 工学部, 教授 (60126943)
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| 研究分担者 |
山田 健二 石川工業高等専門学校, 助手 (50249778)
内藤 正路 九州工業大学, 工学部, 助手 (60264131)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
1998年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1997年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1996年度: 4,000千円 (直接経費: 4,000千円)
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| キーワード | 準安定原子脱励起分光 / ヘリウム準安定原子 / 表面電子状態 / スピン偏極 / 表面磁性 / 局所スピン密度 / ニッケル表面 / 半導体表面 / 準安定原子説脱励起分光 / スピン偏極ビーム / ニッケル / 電子スピン密度 / オージェ中性化 / 磁性薄膜 / 表面電子分光 |
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| 研究概要 |
磁性体表面最外原子層や非磁性表面上の極微小磁気構造の局所電子スピン状態密度を敏感に抽出できるスペクトロスコピーの開発を目的として研究を行った。
1.スピン偏極ヘリウム準安定原子ビームラインを製作した。He^*原子はホローカソード+スキマー間の放電で生成され、1.08μmの円偏光照射で偏極化される。またビームラインにシュテルン=ゲルラッハ形スピン偏極度分析器を挿入した。無偏極ビームをスピン分析にかけたところ、磁気量子数1,0,-1への分岐の重みがいずれも約1/3であった。これはビームの主成分が3重項He^*であることを意味する。試料の交番磁化と電子エネルギー分析器の動作を同期させることで、実験システムの非対称性から来るスペクトル非対称性の分離を実現した。
2.表面における電荷移行、及び表面電子状態とHe^*脱励起プロセスの関係を明らかにする目的で、非偏極の準安定ヘリウム原子ビームを使って半導体表面へのアルカリ金属・酸素吸着過程の局所電子状態解析を行った。
3.Ni(110)の清浄表面と酸素吸着表面に対し開発されたスピン偏極準安定原子脱励起分光法を適用して、表面最外原子層局所電子スピン状態密度のself-convolutionをエネルギーの関数として得た。
今後、ビームの定量的キャラクタリゼーションを進めると共に、放出された電子のスピンを分析できるシステムの開発をめざす。この手法を用いて、Ni,Feなどの表面への化学吸着が表面原子磁気モーメントに及ぼす影響、半導体表面上の磁性低次元構造の磁気物性などの研究を進める。
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