| 研究課題/領域番号 |
08454093
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
大熊 哲 東京工業大学, 極低温システム研究センター, 助教授 (50194105)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
7,800千円 (直接経費: 7,800千円)
1997年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1996年度: 4,800千円 (直接経費: 4,800千円)
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| キーワード | 超伝導絶縁体転移 / 薄膜 / ボ-ズグラス相 / ボルテックスグラス転移 / 量子ゆらぎ / ホール効果 / 交流インピーダンス / 磁気抵抗 / バイブレ-ティング・リ-ド法 |
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| 研究概要 |
よく制御された次元性と乱れをもつ2種類の従来型の超伝導体を用いて、その電子状態および磁束状態を、量子ゆらぎの効果が現われる極低温・高磁場域までの広い領域にわたって調べた。
In微粒子薄膜では、電気抵抗から求めた臨界磁場B_<xxC>とホール抵抗から求めた臨界磁場B_<xyC>は異なり、乱れの度合い及び2次元性が強いほど領域B_<xyC><B<B_<xyC>が拡がる傾向が認められた。さらに、より一様な乱れをもつアモルファスMo_xSi_<1-x>超薄膜の乱れ、及び磁場印加に伴う超伝導絶縁体転移を調べたところ、絶縁体試料では磁気抵抗は常に正であるのに対し、超伝導体試料では100mK以下の極低温でのみ、臨界磁場B_<xxC>以上でク-パ-対の存在を示唆する負の磁気抵抗が観測された。これらの実験結果は、2つの系で見い出された臨界磁場以上における異常な絶縁体領域が、2次元の激しい量子ゆらぎによって出現すると予想されているボ-ズグラス相である可能性を示唆している。
一方、厚いIn微粒子膜では、系の次元性、平均粒径、そして測定する電流密度の大きさをある適当な条件に保てば、ボルテックスグラス(VG)転移モデルで予想される特徴的なI-V特性が観測されることを見い出した。さらに、4端子法、及び微小ドライブ・ピックアップコイル系を用いた相互インダクタンス法によって、10MHzまでの交流インピーダンスを測定した結果、位相から相転移点が明確に決まり、相転移温度近くでは振幅および位相の温度および磁場依存性が、スケーリング理論で予想される特徴的な関数形に乗ることがわかった。これらの結果は、VG転移が酸化物高温超伝導体に限らない乱れた第2種超伝導体に普遍的な、2次の相転移現象であることを示している。
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