| 研究課題/領域番号 |
08455006
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
成塚 重弥 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (80282680)
西永 頌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (10023128)
ゲルハルト ファーソル 東京大学, 生産技術研究所, 助教授 (10251472)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
6,700千円 (直接経費: 6,700千円)
1998年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
1997年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1996年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
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| キーワード | III-V半導体 / 磁性体融合系 / GaAs:Mn / GaMnAs / MnAs / GaAs / MnAs 三層構造 / 分子線エピタキシー / スピンバルブ / 磁気結合 / GaAs : Mn / MnAS / 磁性半導体 / 異常ホール効果 / キャリア誘起強磁性 / 磁気光学効果 / p-d交換相互作用 / 磁性半導体超格子 / 量子準位 / 半導体 / 磁性体融合体 / エピタキシャル強磁性薄膜 / 希薄磁性半導体 / 低温MBE / 磁気異方性 |
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| 研究概要 |
本研究では、「III-V半導体/磁性体融合系(GaAs:Mn)」という新物質を分子線エピタキシー(MBE)を用いて形成し、その物性とくに強磁性MnAsや半導体中のMnイオンのスピンとキャリアの相互作用の関連を調べることを目的として研究を行った。強磁性MnAs上に良質の単結晶GaAs半導体をエピタキシャル成長させ、結晶の対称性や界面エネルギーなどの諸問題を克服し、テンプレート層の効果などを駆使することによって、MnAs上に良質のGaAsを成長させ、多層積層構造の形成に成功した。今年度は特にこの多層構造の様々な特性を評価し、以下の知見を得た。
まず、結晶構造や格子定数が大幅に異なるにもかかわらず、MBEを用いて強磁性金属と半導体から成るエピタキシャル成長を可能にし、GaAs(111)BおよびSi(111)基板上にMnAs/GaAs//MnAs三層構造を形成した。また、高分解能透過型電子顕微鏡(TEM)による三層構造(各層の厚さは10nm)の断面観察、および室温における磁化測定によって、ヘテロ界面が原子レベルで急峻であることや良好な磁気特性をもつことを示した。上側のMnAs層の保持力が下側のMnAs層の保持力よりも大きいため、磁化特性にダブルステップが見られた。磁化のマイナーループを測ることによって、半導体(GaAs)を介した強磁性層(MnAs)間の磁気的結合を調べた結果、GaAsスペーサ膜厚が5nm以上の3層構造については非結合型であった。強磁性層(MnAs)間の磁気的結合と磁気抵抗効果については、さらに系統的にいくつかのサンプルの測定によって調べたところ、界面に平行方向の伝導においてスピンバルブ効果を実験的に観測した。
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