| 研究課題/領域番号 |
08455013
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
藤田 静雄 京都大学, 工学研究科, 助教授 (20135536)
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| 研究分担者 |
川上 養一 京都大学, 工学研究科, 助教授 (30214604)
藤田 茂夫 京都大学, 工学研究科, 教授 (30026231)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
6,900千円 (直接経費: 6,900千円)
1997年度: 2,700千円 (直接経費: 2,700千円)
1996年度: 4,200千円 (直接経費: 4,200千円)
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| キーワード | 光照射結晶成長 / 原料の光感度による反応の選択性 / 照射光波長による反応の選択性 / 基板温度による反応の選択性 / ZnCdSSe / 低次元構造 / 構造制御 / 量子構造 |
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| 研究概要 |
本研究は、われわれが見いだした光プロセスの選択性を応用したソフトな手法により、低次元構造の作製を可能とする新技術の開拓を目的として行ったものである。以下に、本研究で得られた結果を示す。
1.本研究で扱う基本プロセスである光反応に関して、質量分析により反応機構について調べた。その結果、アルキル亜鉛の熱分解、表面への吸着、光触媒反応、という過程で反応が進むことがわかった。
2.アルキル亜鉛とアルキルカドミウムの光照射に対する選択性を見出し、これを応用して成長方向に組成を制御してZnCdSe、ZnCdS系多層構造を作製した。X線、ホトルミネセンスから構造の形成を確認し、励起子光物性の測定から、良好な界面を持つことが示された。
3.下地層の違いによる成長の選択性を調べ、熱エネルギーと光エネルギーの相補的な効果で成長が支配されていることを見出した。すなわち、ある程度の低温では、下地層の禁制帯幅より照射光エネルギーが小さいときにはその上に全く成長が起こらないが、ある程度高温では、熱分解により成長層ができた後、成長が起こるという成長機構がわかった。
4.上の結果を応用して、下地層がZnSeとZnSの場合にZnSeの上にのみ成長が起きるような光制御による選択成長ができた。これにより、成長面内での成長制御が可能となり、2次元的に制御された低次元構造の作製につながることが確認された。
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