| 研究課題/領域番号 |
08455020
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
小林 猛 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (80153617)
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| 研究分担者 |
牧 哲朗 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助手 (80273605)
藤井 龍彦 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 講師 (40238530)
作田 健 大阪大学, 基礎工学部, 講師 (70221273)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
7,400千円 (直接経費: 7,400千円)
1997年度: 900千円 (直接経費: 900千円)
1996年度: 6,500千円 (直接経費: 6,500千円)
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| キーワード | ダイヤモンド薄膜 / 表面・界面物理 / フッ化カルシウム / FET / エピタキシ- / 弗化カルシウム / ダイヤモンド / 界面準位 / MISFET / フッ素化 |
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| 研究概要 |
ボロンをドープしたp形ダイヤモンド半導体が比較的安定に作製できるようになり、ダイヤモンド・エレクトロニクスの可能性を求める声が一挙に高まりつつある今日、本研究ではエレクトロニクス応用に不可欠なダイヤモンド表面・界面の検討を進めた。
明らかになった諸事項を以下に列挙することとする。
(1)CaF2をゲート絶縁膜に使用することでかなり良好な界面特性を得ることが可能になった。
(2)上記の成果に関して、その物理作用に立ち入った研究を行った。その結果、アルカリ金属であるCaがダイヤモンド表面に吸着していた酸素をゲッター(還元)し、ついでフッ素イオンがカーボン原子に直接結合する、というモデルが得られた。吸着酸素が表面準位を形成していた訳で、それを除去すると同時にフッ素原子で終端させたことが成果につながった、とみている。
(3)上記の結果に基づき、ダイヤモンドMISFETの実現を図った。
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