| 研究概要 |
1.平成8年度の研究成果
高真空化対策を施したレーザー・ドープ用チャンバー(2x10^<-7>Torr)の使用により酸素の効果を低減させ以下の結果を得た。
(1)n形6H(n=5x10^<17>cm^<-3>)および4H(n=1.4x10^<18>cm^<-3>)-SiC基板をトリメチル・アルミニウムガス(H_2希釈、100Torr)雰囲気中に置き、KrFエキシマ・レーザ(0.8-1.0J/cm^2)照射によりAl原子をドープした。表面から約50nmまでAlがドープされ、ドープ状態のままでp形伝導を示した。ホール効果測定により正孔密度、移動度はそれぞれ(2-4x10^<18>cm^<-3>,1-2x10^2cm^2/V・s),(2-4x10^<18>cm^<-3>,70-100cm^2/V・s)と評価された。
(2)n形6H-SiC(n=1.5x10^<18>cm^<-3>)にNiを真空蒸着しながら(2x10^<-7>Torr)KrFエキシマ・レーザー照射しオーミック電極を形成した。エネルギー密度1.0J/cm^2,パルス数1000発、基板温度を室温とし、浅い領域(120nm)に良好なオーミック接触が形成され、接触抵抗は6x10^<-3>Ωcm^2と評価された。電極層は主としてN_xSi,Cで構成されている。
2.平成9年度の研究成果
(1)水素希釈したトリメチル・ボロンガス雰囲気中に置いたn形6H-SiC基板をKrFエキシマ・レーザ照射し、Bをドープした。0.8J/cm^2,1000-5000パルスの照射条件により、10-20nm範囲にBを制御してドープできることを明らかにした。ホール効果測定で伝導型の判定を試みたが、現時点ではp形伝導の確認は出来ていない。
(2)真空チャンバー内(1x10^<-6>Torr)でWペレットのレーザー・アブレーション(KrFエキシマ・レーザー2.5J/cm^2)によりW薄膜をn形6H-SiC(n=1.8x10^<18>cm^<-3>)に堆積させ、膜上を同レーザーにより照射してオーミック電極を形成した。均一なレーザー密度の照射により、表面荒れの少ない良好なオーミック電極が形成された。W分布深さ10-20nmの極めて急峻なドープ層が形成されており、接触抵抗は2.2x10^<-4>Ωcm^2と評価された。この値は1000℃熱処理で作製されたW電極と同等または優れており、レーザー・ドープにより非熱処理(室温)でオーミック電極が形成できることを示した。真空中1000℃、2時間の熱処理で電極特性に変化が無いことを確認した。
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