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完全自己整合メタライゼーション超高速CMOSの研究

研究課題

研究課題/領域番号 08455157
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・機器工学
研究機関東北大学

研究代表者

横山 道央  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (40261573)

研究分担者 益 一哉  東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (20157192)
坪内 和夫  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30006283)
研究期間 (年度) 1996 – 1998
研究課題ステータス 完了 (1998年度)
配分額 *注記
7,100千円 (直接経費: 7,100千円)
1998年度: 800千円 (直接経費: 800千円)
1997年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
1996年度: 5,200千円 (直接経費: 5,200千円)
キーワード自己整合 / メタライゼーション / 選択AICVD / 寄生抵抗 / シリサイド / TiSiNバリア / RF-CMOS / GHz CMOSアンプ / 選択AlCVD / TiNバリア / MOSFET / プラズマ窒化 / 選択Al-CVD
研究概要

本研究では、単体MOSデバイスの寄生抵抗低減プロセスとして、個別の選択Al-CVD技術、瞬時加熱型熱処理(RTA)技術を統合した「完全自己整合メタライゼーション技術」を確立し、0.1um超高速MOSデバイス作製の基礎を築く事を目指した。
(1) 低温N2プラズマによる自己整合バリア形成技術:高速微細MOSデバイスにおけるコンタクト抵抗低減のため、TiSi2を用いてゲート・ソース/ドレイン上で自己整合的にシリサイド化を行うTiサリサイド技術を確立し,さらにAl/Siの相互拡散を抑えるアモルファスバリア層(TiSiN層)を,窒素プラズマによるシリサイド表面窒化により自己整合的に形成する方法を確立した。バリア膜の組成、構造等を解析し、厚さ約10nmの極薄アモルファスバリア層が形成されている事、熱処理耐性、低コンタクト抵抗である事を確認した。
(2) 選択Al-CVD技術:TiSiNバリア形成後,引き続き同一チャンバー内で選択Al CVDを行う事により,Si/TiSi2/TiSiN/Al構造を実現した。バリア形成後,真空を破る事なく,連続的にCVD-Al堆積が可能となった為,下地膜表面自然酸化膜の影響のない極薄且つ平坦なAl膜の堆積が実現できる事を確認した。
(3) 完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおける寄生抵抗低減の効果をシミュレーションにより解析し、特に、電流駆動力を要するGHz帯シリコンアナログRF素子において、選択CVD-Alを用いる事で従来構造デバイスに比較して数倍の高周波特性改善効果がある事を高周波シミュレーションにより確認した。携帯電話用高効率RF-CMOSアンプの構成を検討した。
以上,本研究により「完全自己整合メタライゼーション技術」確立の見通しは得られた。

報告書

(4件)
  • 1998 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1997 実績報告書
  • 1996 実績報告書
  • 研究成果

    (53件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (53件)

  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Matallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.37. 3264-3267 (1998)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] C.-H.Lee: "Crystallographic Structure and Contact Resistance of Self-Aligned Nitrided Barrier Layers on TiSi2 for Fully Self-Aligned Metallization MOSFETs" Abstracts of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998, Colorad Springs. 11-12 (1998)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Matallization MOSFET" Ext.Abst.1997 Int.conf.Solid.state Device and Materials. 124-125 (1997)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Superiority of DMAH to DMEAA for Al CVD Technology" Abstracts of Advanced Metallization and Interconnect Systemsr for ULSI Applications in 1997,San Diego. 205-210 (1997)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama: "Reduction of Parasitic Resistances in Wide-Gate Fully-Self-Aligned-Metallization(FSAM)MOSFET" Abstracts of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997,San Diego. 185-190 (1997)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Mirror-Like Surface Morphology of CVD-Al on TiN by ClF3 Pretreatment" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1995. 667-668 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Masu: "Multilevel Metallization Based on Al CVD" Digest of 1996 Symposium on VLSI Technology. 44-45 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-Selfaligned-Metallization MOSFET" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996. 253-256 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] J.-H.Chung: "Fluorine Termination Effect on Al CVD" Advenced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996. 43-49 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi, et al.: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Alligned Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37-6A. 3264-3267 (1998)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] C.-H.Lee, et al.: "Crystallographic Structure and Contact Resistance of Self-Aligned Nitrided Barrier-Layer on TiSi2 for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998 : US Session, Colorado, Oct.8. (1998)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi, et al.: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Ext.Abst.1997 Int.Conf.Solid State Device and Materials, Hamamatsu. 124-125 (1997)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama, et al.: "Reduction of parasitic resistances in wide-gate fully-self-aligned-metallization (FSAM) MOSFET" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1997 : US Session, San Diego, Oct.1. (1997)

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  • [文献書誌] K.Masu, et al.: "Multilevel Metallization Based on Al CVD" Digest of Technical Papers 1996 Symp.on VLSI Technology, Honolulu. 44-45 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi, et al.: "Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Proc.of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996, Boston. (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] C.-H.Lee, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" IEICE Technical Report. SDM98-127 (1998)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama, et al.: "Miniaturized MOSFET with Fully-Self-Aligned Metallization for GHz-band Power Amplifier" IEICE Technical Report. SDM98-130 (1998)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama, et al.: "Reduction of Parasitic Resistances in FSAM-MOSFET" IEICE Technical Report. SDM97-96 (1997)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Gotoh, et al.: "Fully Self-aligned Metallization MOSFET using selective Al CVD technology" IEICE Technical Report. SDM96-135 (1996)

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama, et al.: "High Efficiency RF Power MOSFET with Fully Self-Aligned Metallization technique by using Selective Al-CVD" Extended Abstracts (The 59th Autumn Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics. 16p-p10-13.

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Nishimura, et al.: "The Improvement of Deposition Rate for Al-CVD Using Direct Liquid Injection System" Extended Abstracts (The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 29pZQ-5.

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Yokoyama, et al.: "Fabrication of Silicon Analog RF-CMOS Devices" Extended Abstracts (The 46th Spring Meeting, 1999) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 31aZM-3.

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Morimoto, et al.: "High Frequency Characteristics of MOSFETs with Fully Self Aligned Metallization Process" Extended Abstracts (The 58th Autumn Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics. 3p-G-12.

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] C.-H.Lee, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 45th Spring Meeting, 1998) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 29a-N-3.

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    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] R.Tajima, et al.: "Analysis of Parasitic Resistance of Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics. 9a-N-7.

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      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Gotoh, et al.: "ClF3 pre-cleaning in Al-CVD (V)" Extended Abstracts (The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics. 8a-N-5.

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    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics. 9a-N-6.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Masu, et al.: "Surface reaction of Al CVD" Extended Abstracts (The 57th Autumn Meeting, 1996) ; The Japan Society of Applied Physics. 8pQ-2.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] C.-H.Lee, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 28a-PB-22.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Matsuhashi, et al.: "Self-align formation of barrier layer for Fully Self-Aligned Metallization MOSFET" Extended Abstracts (The 44th Spring Meeting, 1997) ; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies. 28a-PB-23.

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1998 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] 横山 道央: "FSAM-MOSFETを用いた高周波パワーアンプ" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SDM-98-130. 49-53 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metallization Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.37. 3264-3267 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] C.-H.Lee: "Crystallographic Structure and Contact Resistance of Self-Aligned Nitrided Barrier Layers on TiSi2 for Fully Self-Aligned Metallization MOSFETs" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1998,Corrolad Springs. (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 李 昌勲: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SDM-98-127. 29-34 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 西村 隆正: "DMAHのDMEAAに対する優位性" 第59回応用物理学会学術講演会予稿集. 58. 15aZL11 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 西村 隆正: "Direct Liquid Injection Systemを用いたAl CVD 堆積速度の向上" 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集. 46. 29aZQ5 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 横山 道央: "完全自己整合メタライゼーション技術を用いたRF-MOSFETにおける高効率化" 第59回応用物理学会学術講演会予稿集. 58. 16p10-13 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] 横山 道央: "シリコンアナログRF-CMOSデバイスの作製" 第46回応用物理学会学術講演会予稿集. 46. 31aZM3 (1998)

    • 関連する報告書
      1998 実績報告書
  • [文献書誌] M.Yokoyama: "Reduction of Parasitic Resistances in Wide-Gate Fully-Self-Aligned-Metalization(FSAM) MOSFET" Advanced Metalization and lnterconnect Systems for ULSI Applications in 1997,San Diego. (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] 横山 通央: "FSAM-MOSFETにおける寄生抵抗低減効果" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料デバイス研究会). SDM97-96. 27-31 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] H.Matsuhashi: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layar Formation Technology for Fully-Self-Aligned-Metalization MOSFET" Ext.Abst.1997 lnt.Conf.Solid State Device and Materials,Hamamatsu. 124-125 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] 森本 明大: "完全自己整合メタライゼーションの高周波MOSFETへの応用" 第58回応用物理学会学術講演会予稿集. 58. 3pG12 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] 李 昌勲: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成" 第45回応用物理学関係連合講演会予稿集. 45(発表予定). (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] H. Matsuhashi: "Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-SelflAligned Metallization MOSFET" Abstracts of Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications. (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 益 一哉: "Al-CVD技術による完全自己整合メタライゼーション" 電気学会電子材料研究会. EFM-96-12. 17-23 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 横山 道央: "選択Al CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおける寄生抵抗解析" 平成8年度電気関係学会東北支部連合大会. 337 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 後藤 晶央: "選択Al CVD技術を用いた完全自己整合メタライゼーションMOSFET" 電子情報通信学会技術報告(シリコン材料・デバイス研究会). SDM-96-135. 25-30 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 田嶋 陵: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおける寄生抵抗解析" 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会(1996年9月). 9aN-7 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 後藤 晶央: "選択Al-CVD技術におけるプラズマレスCIF3表面クリーニング(V)" 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会(1996年9月). 8aN-5 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 益 一哉: "Si上のAl CVDにおける表面反応" 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会(1996年9月). 8pQ-2 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 松橋 秀樹: "完全自己整合メタライゼーションMOSFETにおけるバリア層の自己整合形成" 1996年秋季 第57回応用物理学会学術講演会(1996年9月). 9aN-6 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 李 昌勲: "完全自己整合メタライゼーションにおけるバリア層の自己整合形成〜XPSにおけるプラズマ窒化したシリサイド表面の化学状態評価〜" 1997年春季 第44回応用物理学関連連合講演会(1997年3月). (講演予定). (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] 松橋秀樹: "完全自己整合メタライゼーションにおけるバリア層の自己整合形成〜N2プラズマによって形成した窒化バリア層の極薄接合層への適用〜" 1997年春季 第44回応用物理学関連連合講演会(1997年3月). (講演予定). (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書

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公開日: 1996-04-01   更新日: 2016-04-21  

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