| 研究課題/領域番号 |
08455160
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
勝部 昭明 (勝部 照明) 埼玉大学, 工学部, 教授 (70008879)
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| 研究分担者 |
内田 秀和 埼玉大学, 工学部, 助手 (60223559)
前川 均 (前川 仁) 埼玉大学, 工学部, 教授 (30135660)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
7,600千円 (直接経費: 7,600千円)
1997年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1996年度: 5,700千円 (直接経費: 5,700千円)
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| キーワード | シリコンカーバイド(SiC) / 高温ガスセンサ / NOガスセンサ / LAPSガスセンサ / 半導体ガスセンサ / 集積化センサ / シリコンカーバイド / SiC / 高温ガスセンサー / インテリジェントガスセンサ |
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| 研究概要 |
シリコンカーバイド(SiC)をガスセンサに応用する研究を行った。そのためにまず結晶性および電気的特性の評価を行った。SiCは最近良好な結晶が得られるようになったが、Siと比べるとまだ結晶性は十分でない。このためデバイスを作製したときの歩留まりは必ずしも良くない。本研究では、MOS構造およびショットキー構造から結晶の特性評価を行った。その結果、523°Cまで良好なC-V特性が得られることがわかった。ショットキー特性もある程度良好な整流性を示すが、漏れ電流が大きい等の問題もある。界面準位密度は7x10^<11>eVcm^2であった。次にNOxガスセンサの開発研究を行った。電極にPtを用いたショットキー構造により、NOガスの応答を調べた。その結果、常温程度から、500°C程度までの広い範囲にわたってNOガスを検出可能であることがわかった。ただし問題点として、結晶の内部抵抗が大きいこと、結晶に欠陥が多く歩留まりが悪いことなどがある。次に表面光電圧法(LAPS)を用いてガスセンサの研究を行った。Pt/SiO2/n-Si構造を用い、光をスイ-プして表面ポテンシャルの2次元像を測定した。その結果、NOに応答して2次元像が変化する様子を観測することに成功した。この成果は、集積化ガスセンサの開発に道を開くものであり、SiCを用いれば、高温の測定も可能である。
この他SiCに関する研究成果として、高純度のSiC多結晶として、高温でも使用できる高精度温度センサを開発した。
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