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新しい複合型水素評価手法の開発と半導体材料への応用

研究課題

研究課題/領域番号 08555009
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分展開研究
研究分野 表面界面物性
研究機関大阪大学

研究代表者

尾浦 憲治郎  大阪大学, 工学部, 教授 (60029288)

研究分担者 石田 英之  東レリサーチセンター, 構造化学研究部, 部長(研究員)
伊藤 隆司  富士通研究所, 半導体研究部, 部長(研究員)
綿森 道夫  大阪大学, 工学部, 助手 (80222412)
片山 光浩  大阪大学, 工学部, 講師 (70185817)
研究期間 (年度) 1996 – 1997
研究課題ステータス 完了 (1997年度)
配分額 *注記
20,400千円 (直接経費: 20,400千円)
1997年度: 4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
1996年度: 16,000千円 (直接経費: 16,000千円)
キーワード表面水素 / 界面水素 / イオンビーム / スパッタリング / 複合水素分析
研究概要

我々は、既に水素で終端されたシリコン表面上では、金属薄膜のエピタキシ-が大きく影響される現象を見出し報告してきたが、本科学研究費補助金の助成によって、そのメカニズムの解明を推進するために、新しい複合型水素評価手法を確立することを目的とした。研究初年度に、この複合化を完成させ、次年度に実際に金属薄膜のエピタキシ-制御に適用した。その結果、以下のような新しい事実が得られた。
(1)エピタキシ-の状態を逆格子空間で調べるための低速電子線回折(LEED)と、実格子で調べるための低速イオン散乱法(ISS)を複合化し、吸着水素の絶対量を測定するために、低速イオン散乱法に、弾性水素粒子検出器を付け加えた。この装置と走査トンネル顕微鏡(STM)を併用して、多角的に水素の終端効果を調べた。
(2)金属薄膜を真空蒸着で作成するのみならず、スパッタリングなどの他の薄膜作成法で作成し、水素終端の効果を調べた。
(3)実際に金属薄膜に適用し、金属薄膜のうち、AgやPbやInなど、シリコン表面上に直接薄膜を形成したときに2次元的構造をとるものは、水素の終端によって3次元的な金属固有のクラスターが形成されることをミクロなスケールで見出した。
これらの結果は、水素終端表面における低温ヘテロエピタキシ-のメカニズムの解明の鍵となるものである。

報告書

(3件)
  • 1997 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1996 実績報告書
  • 研究成果

    (23件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (23件)

  • [文献書誌] K.Oura 他4名: "Atomic-hydrogen-induced Ag cluster formation on Si(III)-√<3>×√<3>-Ag surface observed by scanning Tunneling microscopy" J.Vac.Sci.Technol.B14. 988-991 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Oura 他4名: "Thin-film growth mode analysis by low energy ion scattering" Surface Science. 363. 161-165 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Watamori 他3名: "A new method for the detection of native oxide on Si with combined use of ^<16>O(αα)^<16>O resonance and channeling" Applied Surface Science. 113/114. 403-407 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Ohba 他5名: "STM observation of Ag clustering on hydrogen-terminated Si(100) surfaces" Applied Surface Science. 121/122. 191-194 (1997)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.A.Saranin 他8名: "Structural model for the Si(III)-4×1-In reconstruction" Physical Review B. 56. 1017-1020 (1997)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.A.Saranin 他6名: "STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si(III)√<3>×√<3>-In surface" Physical Review B. 56. 7449-7454 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Oura et.al.: "Atomic-Hydrogen-Induced Ag Cluster Formation on Si (111)-ROO<3>*ROO<3>-Ag Surface Observed by Scanning Tunneling Microscopy" Journal of Vacuum, Science and Technology. B14. 988-991 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Oura et.al.: "Thin-film growth mode analysis by low energy ion scattering" Surface Sci.363. 161-165 (1996)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Waramori et.al.: "A new method for the detection of native oxide on Si with combined used of ^<16>O (alpha, alpha) ^<16>O resonance and channeling" Applied Surface Science. 113/114. 403-407 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Ohba et.al.: "STM observation of Ag clustering on hydrogen-terminated Si (100) surfaces" Applied Surface Science. 121/122. 191-194 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.A.Saranin et.al.: "Atructural model for the Si (111)-4*1-In reconstruction" Physical Review. B56. 1017-1020 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.A.Saranin et.al.: "STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si (111)-ROO<3>*ROO<3>-In surface" Physical Review. B56. 7449-7454 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Watamori 他3名: "A New method for the detection of native oxide on Si with conbined use of ^<16>O(α,α)^<10>O resonance and channeling" Applied Surface Science. 113/114. 403-407 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] J.-T.Ryu 他4名: "Adsorption of atomic hydrogen on the Si(100)-(2×1)-Sb surface" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 4435-4439 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Ohba 他5名: "STM observation of Ag clustering on hy drogen-terminated Si(100) Surfaces" Applied Surface Science. 121/122. 191-194 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] T.Fuse 他5名: "Quasi-medium energy ion scattering spectroscopy obervation of suaface segregation of Ge 8-doped layerduring Si moleculor beam epitome" Surface Science. 393. L93-L98 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] A.A.Saranin 他8名: "Structural model for the Si(111)-4×1-In reconstruction" Physical Review B condensed matter. 56 no.3. 1017-1020 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] A.A.Saranin 他6名: "STM tip-induced diffusion of In atoms on the Si(111) √<3>×√<3>-In surface" Physical Roveiw B condensed matter. 56 no.12. 7449-7454 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] K.Oura 他4名: "Atomic-hydrogen-induced Ag clusterformation on Si(111)-√<3>×√<3>-Ag surface observed by scanning tunneling microscopy" J.Vac.Sci.Technol.B14. 988-991 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] K.Oura 他4名: "Thin-film growth-mode analysis by low energy ion scattering" Surt.Sci.363. 161-165 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] K.Oura 他3名: "Observation of the diffusion of Ag atoms through and a-Si layer on Si(111)by low energy ion scattering" Surt.Sci.363. 156-160 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] U.Katayama 他3名: "Influence of surfactant coverage on epitaxial growth of Ge on Si(001)" Physical Review. B54. 8600-8604 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] M.Watamori 他2名: "The effect of oxygen content on electrical and optical propertres of indium tin oxide films fabricated by reactive aputtering" Thin Solid Films. 281/282. 206-208 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書

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公開日: 1996-04-01   更新日: 2016-04-21  

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