| 研究課題/領域番号 |
08640406
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
渡辺 洋右 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (00167181)
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| 研究分担者 |
薛 其坤 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (90270826)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1997年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1996年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
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| キーワード | GaAs / STM / MBE / InAs / ファセット / 量子ドット |
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| 研究概要 |
初年度に当初予定していた研究代表者が急遽一年間米国出張することきまり、分担者が代表を代行することになり、研究テーマを修正して着手した。即ち(1)GaAs(001)基板における金属In吸着研究、(2)InAs/GaAsヘテロエピタキシにおける量子ドット形成機構等である。前者のIn吸着については2つの新しい表面構造4x2/c(8x2)及び6x2/c(12x2)を発見した。そして高分解能STM像のバイアス電圧依存性から、可能な原子構造モデルを提案した。これら2つの構造の重要性はこれらを出現させてから、InAs成長させると、新しい層状成長モードで結晶育成することが判明したことで、これは高性能光学デバイス製作等への観点から重要な意義がある。後者については通常のMBE成長条件で1.6-3ML厚さのInAs蒸着した際に得られるInAs量子ドット形状やサイズの統計的分布測定を行った。ファセット面が(113)或いは(114)に集中していることが初年度の実験から判明したが、その後量子ドットの高分解能STM像を得ることが可能となり、それより(113)-4x1及び(215)-1x1ファセットモデルを提案した。これは量子ドット形成機構解明に有用なものと考えている。
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