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ランタノイド化合物/半導体積層構造の原子層制御スーパーヘテロエピタキシャルと物性

研究課題

研究課題/領域番号 08650009
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関名古屋大学

研究代表者

藤原 康文  名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)

研究分担者 田渕 雅夫  名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
竹田 美和  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
研究期間 (年度) 1996 – 1997
研究課題ステータス 完了 (1997年度)
配分額 *注記
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1997年度: 400千円 (直接経費: 400千円)
1996年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
キーワードランタノイド化合物 / 原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル / ErP / InP / X線CTR散乱法 / 原子間刀顕微鏡 / 走査トンネル顕微鏡 / 量子効果 / AFM / STM / STS / 量子機能 / Er / 蛍光EXAFS法 / δド-ピング
研究概要

本研究では、InP基板上へのErP原子層制御スーパーヘテロエピタキシャル成長を取り上げた。成長に用いたガス供給シーケンスは、InP成長時にP雰囲気中でIn原料の供給を中断し、Er原料のみを供給する、原子層ド-ピング(δド-ピング)を基本とした。
得られた知見は以下のとおりである。
1)PBS測定より、試料中のEr濃度はEr原料供給時間に比例して増加することが明らかになった。また、その依存性より、1原子層相当分のErシート濃度はEr原料供給時間23分により達成されることが明らかになった。
2)4.2KにおけるPL測定の結果、Erを均一添加した試料とは異なるPLスペクトルが得られた。このことはEr原子周辺構造が両者で異なることを意味している。
放射光を用いたX線CTR散乱測定により原子レベルでの構造解析を行ったところ、添加されたErはrocksalt構造を有するErPを形成して存在し、その分布の半値幅は数原子層程度であった。ErPの形成は、やはり放射光を用いた蛍光EXAFS測定においても確認された。
4)X線CTR散乱測定を用いた熱処理効果の検討より、ErのInPへの拡散係数として、1.2×10^<-18>cm^2/s(580℃)、2.1×10^<-18>cm^2/s(630℃)、3.1×10^<-18>cm^2/s(650℃)が得られた。
5)基板温度580℃で作製された試料に対するAFM観察の結果、ErP膜厚が0.8原子層相当の場合、直径20-30nm、高さ1nmの小さなErP島の形成が確認された。一方、3原子層相当の場合、板状のErP島(直径:200-500nm)が観察された。
6)STM観察の結果、板状のErP島には[110]方向に沿った不整合転位の発生とボイドの形成が確認された。また、STS測定より、ErP膜厚が5原子層より薄くなると量子効果によりバンドギャップが出現し、Er膜厚の減少とともに増大することが明らかになった。

報告書

(3件)
  • 1997 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1996 実績報告書
  • 研究成果

    (29件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (29件)

  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Erbium δ-doping to InP by OMVPE" Institute of Physics Conference Series. 145. 149-154 (1996)

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      「研究成果報告書概要(和文)」より
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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Effects of growth temperature on Er-related photolumine-scence in Er-doped InP and GaAs by OMVPE with TBP and TBA" Japanese Journal of Applied Physics. 36(5). 2587-2591 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.TAKEDA: "Layer structure analysis of Er δ-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" Journal of Applied Physics. 82(2). 635-638 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Low-temperature photoluminescence study on Er-doped GaP grown by organometallic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 83(9)(印刷中). (1998)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Extremely sharp Er-related luminescence in Er-doped GaP grown by OMVPE with TBP" Institute of Physics Conference Series. (印刷中). (1998)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.TABUCHI: "Thermal diffusion of Er-atoms δ-doped in InP" Applied Surface Science. (印刷中). (1998)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Erbium delta-doping to InP by OMVPE" Inst.Phys.Conf.Ser.No.145. 149-154 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "EXAFS and x-ray CTR scattering characterization of Er doped in InP by OMVPE" Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.422, Rare Earth Doped Semiconductors II. 155-160 (1996)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Observation of trap states in Er-doped InP by photoreflectance" Appl.Phys.Lett.Vol.70, No.1. 84-86 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Effects of growth temperature on Er-related photoluminescence in Er-doped InP and GaAs by organometallic vapor phase epitaxy with tertiarybutylphosphine and tertiarybutylarsine" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36, No.5. 2587-2591 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Characterization of InP delta-doped with Er by fast Fourier transformed photoreflectance" Appl.Surf.Sci.Vol.117/118. 776-780 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Atom configuration study of delta-doped Er in InP" Appl.Surf.Sci.Vol.117/118. 781-784 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Occupation site and distribution of delta-doped Er in InP measured by x-ray CTR scattering" Appl.Surf.Sci.Vol.117/118. 785-789 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Takeda, M.Tabuchi, Y.Fujiwara et al.: "Layr structure analysis of Er delta-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" J.Appl.Phys.Vol.82, No.2. 635-638 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Structural analysis of erbium delta-doped InP (001) crystal by means of RBS-channeling" Radiat.Phys.Chem.Vol.50, No.3. 193-197 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Formation of ErP islands on InP (001) surface by organometallic vapor phase epitaxy" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36, No.11B. L1534-L1537 (1997)

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      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Low-temperature photoluminescence study on Er-doped GaP grown by organometallic vapor phase epitaxy" J.Appl.Phys.Vol.83, No.9 (in press). (1998)

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    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structures around Er atoms doped in InP revealed by fluorescence EXAFS" Mater.Sci.Eng.B : Solid State Materials for Advanced Technology. (in press). (1998)

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    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara, M.Tabuchi, Y.Takeda et al.: "Extremely sharp Er-related luminescence in Er-doped GaP grown by OMVPE with TBP" Inst.Phys.Conf.Ser.(in press). (1998)

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    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Local structure study on dilute Er in InP revealed by fluorescence EXAFS" J.Syn.Rad.(in press). (1998)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Tabuchi, Y.Fujiwara, Y.Takeda et al.: "Thermal diffusion of Er-atoms delta-doped in InP" Appl.Surf.Sci.(in press). (1998)

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      「研究成果報告書概要(欧文)」より
    • 関連する報告書
      1997 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] Y.Fujiwara: "Effects of growth temperature on Er-related photoluminescence in Er-doped InP and GaAs by OMVPE with TBP and TBAs" Japanese Journal of Applied Physics. 36(5). 2587-2591 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Fujiwara: "Low-temperature photoluminescence study on Er-doped GaP grown by organometallic vapor phase opitaxy" Journal of Applied Physics. 83(9),(印刷中). (1998)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] Y.Takeda: "Layer structure analysis of Erδ-doped InP by x-ray crystal truncation rod scattering" Journal of Applied Physics. 82(2). 635-638 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] L.Bolotov: "Formation of ErP islands on the Er-doped InP (100) by MOVPE" Japanese Journal of Applied Physics. 36(11B). L1534-L1537 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] J.Yuhara: "Structural analysis of erbium δ-doped InP (001) crtstal by means of RBS-channeling" Radiation Physics and Chemitry. 50(3). 193-197 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] K.Fujita: "Occupation site and distribution of δ-doped Er in InP measured by x-ray CTR scattering" Applied Surface Science. 117/118. 785-789 (1997)

    • 関連する報告書
      1997 実績報告書
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Erbium δ-Doping to InP by OMVPE" Inst.Phys.Conf.Ser.145. 149-154 (1996)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書
  • [文献書誌] Y.FUJIWARA: "Effects of Growth Temperature on Er-Related Photoluminescence in Er-Doped InP and GaP by OMVPE" Jpn.J.Appl.Phys.36(印刷中). (1997)

    • 関連する報告書
      1996 実績報告書

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公開日: 1996-04-01   更新日: 2016-04-21  

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