| 研究課題/領域番号 |
08650023
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 金沢工業大学 |
|---|
研究代表者 |
石井 恂 金沢工業大学, 工学部, 教授 (30222946)
|
|---|
| 研究分担者 |
高田 新三 金沢工業大学, 工学部, 教授 (70064467)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1996
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1996年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
|
|---|
| キーワード | 有機金属気相成長法 / 窒化ガリウウム / モノメチルヒドラジン / エックス線回折 / 四重極質量分析計 / トリエチルガリウム / トリメチルガリウム / 結晶系 |
|---|
| 研究概要 |
トリメチルガリウム-モノメチルヒドラジン系ソース、或いは、トリエチルガリウム-モノメチルヒドラジン系ソースを用いて有機金属気相成長法により160Torrの減圧下で(001)GaAs基板上にGaN結晶の成長を行い、成長層をX線回折法で調べた。
その結果、立方晶系GaN結晶は、基板温度が650℃のとき成長することが初めて分かった。それより低温では、安定系の六方晶系GaN結晶が成長した。GaN結晶の成長前に、GaAs基板をモノメチルヒドラジン雰囲気中で熱処理するだけで、成長層と基板結晶の格子不整合を緩和することに効果があることが判明した。
また、液体ソースであるテトラエチルシリコンをドーパントとして用い、n形不純物として有用なことが分かった。
上述のソースを結晶成長室に供給し、生成する反応ガスを四重極質量分析計で測定した結果、トリメチルガリウム-モノメチルヒドラジン系ソースの最低分解温度は、トリメチルガリウムの分解温度で定まり、トリエチルガリウム-モノメチルヒドラジン系ソースの分解温度はトリモノメチルヒドラジンの分解温度で定まる事が分かり、生成分子種として、メチルヒドラゾンが新たに見いだされた。
|
