| 研究課題/領域番号 |
08650033
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 神戸大学 |
|---|
研究代表者 |
本郷 昭三 神戸大学, 工学部, 助教授 (00029232)
|
|---|
| 研究分担者 |
浦野 俊夫 神戸大学, 工学部, 助教授 (40107983)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1996
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
|
| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1996年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
|
|---|
| キーワード | MDS / TDS / TPT / 昇温脱離分光法 / Si(100) / hydrogen / potassium / sodium |
|---|
| 研究概要 |
1、あらかじめ重水素を吸着させておいたSi表面にNaを後から吸着させると、重水素のおよそ半分が脱離し、残りはNaDを形成する。5層のNaを蒸着しても表面には重水素とNaの結合が見られる。
2、重水素でダングリングボンドを終端したSi(100))表面に1ML異常のNaを吸着させたとき、MDSスペクトルの8cVにNaと重水素の結合による新しいピークが観測された。このピークはSiと結合していた重水素が解離し、Naと結合したために現われた。つまり、Si(100)表面の重水素はNaを多層吸着させると50%程度がSi-D結合状態のまま残り、解離した重水素はNa原子と新たな結合を作ることがわかった。
3、重水素が吸着したシリコン基板にCsを吸着する場合:先に基板に吸着した重水素はCsが吸着する時にはその半分程度は基板との結合を保ち、残りは基板近くでCs-Dの結合を作る。その一部はCsの真空側にも移動するが、そのような位置にはCsが優先的に吸着するので、一部のCsは島状に吸着することになる。結果として重水素が最外表面に現れることはない。Csが多層吸着する場合にも重水素はCs層内に拡散することはなく、最外表面にも現われない。従ってほとんどのCsは重水素の影響を受けずに多層のCsして存在する。
4、Csが吸着したSi基板に重水素を吸着する場合:先に基板に吸着したCsは重水素の吸着によってもその位置を変えないが、Cs-Dの結合を作る。重水素はSi基板とも結合を作るが、Cs層内にも拡散したりして存在し、Cs-Dの結合を作る。Cs-Dの結合はCsと重水素の量が共に多いほど安定である。最も安定な場合で約80℃で切れ、この温度でCsと重水素は同時に脱離する。
|
