| 研究課題/領域番号 |
08650406
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 九州工業大学 |
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研究代表者 |
浅野 種正 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 教授 (50126306)
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| 研究分担者 |
田中 康一郎 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 助手 (40253570)
青木 誠志 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 助手 (40231758)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
2,300千円 (直接経費: 2,300千円)
1997年度: 600千円 (直接経費: 600千円)
1996年度: 1,700千円 (直接経費: 1,700千円)
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / TFT / 多結晶シリコン / 固相成長 / 固相再結晶化 / FPGA / FPAA / アナログ / ディジタル混在回路 / デイジタル混在回路 / 固相結晶化 / 結晶化制御 / プラズマ処理 / 微小電子源 / シリコン / 異方性エッチング |
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| 研究概要 |
積層型シリコン薄膜トランジスタを高性能化するために、形成技術及び素子構造の観点から検討し、以下の点を明らかにした。
・薄膜トランジスタの動作速度を向上させるためには、活性層となる多結晶シリコン薄膜の結晶粒を大きくして個々のトランジスタを一つの結晶の中に配置することが理想である。そのためには、結晶発生位置を制御可能とすることが必要である。(1)プラズマ処理による結晶核発生の促進現象(2)不活性イオンの照射による結晶化遅延現象、があることを見出し、これらを利用して結晶の発生位地を制御できることを実証した。
・結晶の発生位地を制御して薄膜トランジスタを作製することで回路の動作速度を約3倍向上できることを明らかにした。
・結晶位置制御を利用することで、0.6ミクロンまで微細化した薄膜トランジスタならびにそれを使った回路を動作できることを実証した。発振回路を試作し、薄膜トランジスタでも電源電圧5Vで数メガヘルツの回路動作が可能であることを示した。
パルス信号を使った信号処理回路の動作検証環境を実現するために、再構成可能なディジタルおよびアナログ集積回路を結合させた情報処理回路の実現性を検討し、以下の点を明らかにした。
・再構成型アナログ集積回路内でアナログ入力信号をパルス信号に変換し、再構成型ディジタル集積回路に信号を伝搬すれば、アナログ/ディジタル混在の情報処理回路を実現できることを明らかにした。
・再構成型集積回路を用いて、電圧制御型パルス発振回路、アナログ/ディジタル変換、ディジタル/アナログ変換、カウンター等を組み合わせた信号処理回路を実装できることおよび、その最適な実装法を明らかにした。これらの結果はアナログ/ディジタル混在集積回路のハードウエアエミュレーションの実現に向けて有用である
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