| 研究課題/領域番号 |
08650414
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 神奈川工科大学 |
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研究代表者 |
宝川 幸司 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (30257406)
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| 研究分担者 |
野毛 悟 神奈川工科大学, 工学部, 助手 (10221483)
黄 啓新 神奈川工科大学, 工学部, 助手 (30257414)
宇野 武彦 神奈川工科大学, 工学部, 教授 (50257408)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1997年度: 200千円 (直接経費: 200千円)
1996年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
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| キーワード | 弾性表面波 / 水晶 / エピタキシャルリフトオフ / GaAs / 双晶水晶 / センサー / y-z,LiNbO_3 / X軸反転 / センサ / 基板エッチング / ボンディング / Y-Z LiNbO_3 / 弾性表面波半導体複合素子 / GaAs半導体 / マチドフィルタ / Y-ZLiNbO_3 |
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| 研究概要 |
エピタキシャルリフトオフに基づく弾性波と半導体素子の複合集積化のための基本プロセスの構築、この技術のベースとなる個別素子の評価、新原理素子の探索などの基礎研究に重点を置いて研究を進め、以下の成果を得た。
1.半導体素子技術:フィルム状の素子として加工しても特性劣化のないFET、およびショットキダイオード等の機能素子の要素技術となる半導体フィルム素子の製作技術を立ち上げた。
2.エピタキシャルリフトオフ技術の改良:半導体素子と弾性表面波素子の正確なアライメント、塵やなど歩留の低下を招く要因を低減したウエハハンドリング手法などのプロセス技術を確立した。GaAs基板エッチング法によるGaAs素子の剥離方法及び抵融点共晶合金Au-Sn(80-20%)によるGaAsの素子の弾性波基板へのボンディング方法を確立しました。
3.弾性波基板の加工層の評価;ボンディング条件及び半導体素子との相互作用、素子の信頼性・安定性などの諸条件に被接触基板である圧電体表面の物理的状態が極めて重要な役割を果たす。水晶基板を対象として圧電体表面および表面直下を含め、分子レベルに近い徴視的構造の加工によるダメ-ジ層の模様を明らかにした。現在素子特性との相関を調査している。
4.新原理素子;高温での水晶の相転移現象を利用した温度補償センサ及びゴム系材料を感応膜とした弾性波ガスセンサを提案し、実験的にその有効性を確認した。
5.機能素子;弾性表面波とFETを搭載した半導体フィルムをELOにより集積化した新規な特性可変フィルタを提案し、設計・試作に成功した。
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