| 研究課題/領域番号 |
08650855
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 関東学院大学 |
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研究代表者 |
本間 英夫 関東学院大学, 工学部, 教授 (00064105)
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| 研究期間 (年度) |
1996 – 1997
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| 研究課題ステータス |
完了 (1997年度)
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| 配分額 *注記 |
1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1997年度: 500千円 (直接経費: 500千円)
1996年度: 1,400千円 (直接経費: 1,400千円)
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| キーワード | 無電解ニッケルめっき / 無電解銅めっき / 初期析出 / in-situ測定 / バンプ / DMAB / ビアホール / 微細銅パターン / 無電解金めっき / バリアメタル / アルミニウム電極 / マイクロ接続 |
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| 研究概要 |
近年、ICチップ上への微細電極およびICを実装するための高密度配線の形成技術が重要となっている。無電解ニッケルめっきによるアルミニウム電極上へのマイクロバンプ形成を試みた。アルミニウム上への無電解ニッケルめっき法として、ジンケート法に代わりニッケル置換めっき浴を用いるニッケル置換メッキ法を適用することで、1辺20μm、高さ15μmのマイクロニッケルバンプを形成することが可能であることを見出した。バンプ形成において、めっき初期反応挙動を制御することが重要であることを見出した。更に、ニッケル置換めっき浴に代わり、ジメチルアミンボラン(DMAB)溶液で活性化処理することにより、置換めっきを省略し、アルミニウム電極上に平滑性に優れたマイクロバンプを形成することが可能であることを見出した。次に、ICを実装するための高密度配線基板のめっき法について検討した。一般に、銅配線上へ無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき前処理としてパラジウム処理が施されている。しかし、銅配線間への異常析出などの問題がある。そこで、パラジウム触媒溶液の代わりに、DMABとニッケルとの混合溶液を用い、活性化処理することで、配線間に異常析出を引き起こすことなく、ニッケルめっきが可能であることを見出した。また、次亜リン酸を還元剤とした無電解ニッケルめっき浴へDMABを添加することで、パラジウム触媒処理を施すことなく、ニッケルめっきが可能であることを見出した。更に、還元剤の酸化反応および初期析出挙動を制御することで、選択析出性に優れた無電解ニッケル皮膜形成が可能であることを見出した。
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