| 研究課題/領域番号 |
08750072
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| 研究種目 |
奨励研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物理学一般
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
八田 英嗣 北海道大学, 工学部, 助手 (90238022)
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| 研究期間 (年度) |
1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
1996年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)
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| キーワード | トンネル分光 / ナロ-ギャップ半導体 / コンダクタンスピーク |
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| 研究概要 |
(1)V-VI族ナロ-ギャップ半導体Sb_2Te_3をトンネル障壁に用いたトンネル接合におけるトンネルコンダクタンスに観測されるコンダクタンスピークならびにアンダーシュート構造に関しての知見を得るためにAu/Sb_2Te/Alトンネル接合を作製し、温度、印加磁場を変化させながらトンネル分光測定を行った。
(2)Au/Sb_2Te/Teトンネル接合はトンネル接合作製用真空蒸着装置を用いて作製した。まず、下部電極であるAu薄膜を約50nm成膜を行った後、Sb_2Te_3薄膜は同ペレットを用いてフラッシュ蒸着法により成膜を行った。最後に上部電極であるAl薄膜を約100nm成膜を行った。界面の汚れを避けるために、これらの行程は全て真空を切ることなく行われた。この結果、液体ヘリウム温度(4.2K)で約400-800Ωのトンネル抵抗値が得られた。
(3)(2)で作製した試料のトンネルコンダクタンス測定は1.5-4.2Kで行われた。その結果、観測された0 meVでのコンダクタンスピークは温度の減少とともに半値幅の単調な減少が認められた。また、磁場印加の効果に関しては0-500ガウスの範囲内でトンネルコンダクタンスの形状は磁場印加に依存しないことが確認された。以上の測定結果からはトンネルコンダクタンスの特異な形状に関しての起源に関して明確な結論を導くには至っておらず、今後の課題としてはさらに高磁場でのコンダクタンス測定が行われる必要があるように思われる。
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