| 研究課題/領域番号 |
08750394
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| 研究種目 |
奨励研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・機器工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤島 実 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 講師 (60251352)
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| 研究期間 (年度) |
1996
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| 研究課題ステータス |
完了 (1996年度)
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| 配分額 *注記 |
1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
1996年度: 1,200千円 (直接経費: 1,200千円)
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| キーワード | 極短チャネルMOSFET / ダブルショットキー構造 / Tiシリサイド |
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| 研究概要 |
ショートチャネル効果と寄生抵抗の増大という2つの問題を解決するため、新提案のダブルショットキーMOSFETを試作した。ソース、ドレインはSi基板にTiをスパッタし550℃でアニールしてTiシリサイドを形成した。このショットキーダイオードの特性を測定した結果、良好なTiSi_2膜が形成されていることが確認できた。また、ドライ酸化によりTiSi_2上にSiO_2膜が形成されることも確認できた。作製したFETはまだOFF時のリ-ク電流が大きくゲート電圧による変調も小さいが、以上の結果からダブルショットキーMOSFETの基本的な作製プロセスは確立できたと言える。
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