高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御

• 研究課題/領域番号: 09044156
• 研究種目: 国際学術研究
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 共同研究
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 松波 弘之 京大, 工学(系)研究科, 教授 (50026035)
• 研究期間 (年度): 1997
• 研究課題ステータス: 完了 (1997年度)
• 配分額: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円); 1997年度: 2,000千円 (直接経費: 2,000千円)