| 研究課題/領域番号 |
09305003
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
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| 研究分担者 |
野々垣 陽一 名古屋大学, 工学研究科, 助手 (40300719)
田渕 雅夫 名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
藤原 康文 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)
原田 仁平 理学電機株式会社, X線研究所, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
38,900千円 (直接経費: 38,900千円)
1999年度: 7,100千円 (直接経費: 7,100千円)
1998年度: 9,100千円 (直接経費: 9,100千円)
1997年度: 22,700千円 (直接経費: 22,700千円)
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| キーワード | 表面 / 界面 / 1原子層 / 結晶構造 / ヘテロ成長 / 制御 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、半導体界面の1原子層及び表面の1原子層の結晶構造をその場で測定・解析できる手法を確立し、半導体に限らず、ヘテロ構造の成長を制御し、従来の半導体/半導体ヘテロ構造では考えられない量子機能を発現させることである。本年度の実績の概要を以下に示す。
1.InP/InGaAs/InP超薄膜へテロ構造における組成分布、層厚、界面構造を1原子層レベルで測定・解析することに成功した。A1GaAs1原子表面層とGaAs表面層の違いを検出出来たことと併せ、これらにより、当初の目的を完全に達成出来た。
2.GaN/サファイアにおける窒化層あるいは低温緩衝層の各成長段階における構造解析を通じて、低温緩衝層の原子レベルでの役割りの解明、最適緩衝層の構造を明らかにし、今までミステリーであった緩衝層の役割を明らかにした。
3.これらの評価法の確立と機構の解明を通じて、フッ素化物/半導体/フッ化物ヘテロ構造の作製に着手するに至り、始めてこの構造を有するヘテロ構造を作製した。
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