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半導体自然超格子超薄膜を利用した新量子構造材料創製

研究課題

研究課題/領域番号 09305020
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関神戸大学

研究代表者

西野 種夫  神戸大学, 工学部, 教授 (60029452)

研究分担者 喜多 隆  神戸大学, 工学部, 助手 (10221186)
中山 弘  神戸大学, 工学部, 助教授 (30164370)
研究期間 (年度) 1997 – 1999
研究課題ステータス 完了 (1999年度)
配分額 *注記
28,200千円 (直接経費: 28,200千円)
1999年度: 2,900千円 (直接経費: 2,900千円)
1998年度: 9,100千円 (直接経費: 9,100千円)
1997年度: 16,200千円 (直接経費: 16,200千円)
キーワードオーダリング / 量子構造 / 分子線エピタキシー / 超高速分光 / 反射率差分光 / 分線エピタキシー / 分子線エビタキシー / 分子線エピタキシ-
研究概要

混晶半導体エピタキシャル成長過程での原子オーダリングによる長距離秩序構造の出現はIII-V族混晶だけでなくII-VI族混晶やIV族混晶半導体でも各種の自然超格子構造が見いだされ、バンドギャップの大きな変化や価電子帯構造の大きな変化が観測されており混晶半導体中の長距離秩序構造とエネルギーバンド構造の因果関係は物性・応用の両面から大変注目されている。本研究では半導体自然超格子のユニークな特徴を利用したまったく新しいタイプの量子構造を創製を目標にして結晶成長からその物性評価まで系統立てた研究を行った。原子制御できる結晶成長を行うために半導体自然超格子超薄膜における原子オーダリングの局所的な揺らぎを利用した新しい量子構造創製技術の提案し、その検証を光物性と電子輸送の両面からアプローチした。本研究では反射率差分光を用いた結晶成長中の原料の精密制御技術を確立し、原子ケールで制御した自己組織化成長に成功した。このようにして作製した超薄膜は組成の揺らぎによる量子構造を形成することが明らかになった。その量子構造に関して分光学的な側面からの量子物性を明らかにするため、超高速時間分解分光を駆使した電子・正孔の励起緩和課程のダイナミックスについて実験的検討行った結果、10GHzに達する超高速のスピン反転特性を見いだした。またTime-of-Flight法を用いて局在ポテンシャル中での電子輸送特性が解明できた。さらにこの局在ポテンシャルを利用して入射光のエネルギーを換えるアップコンバージョン機能を初めて見いだした。これら新しい物性・機能を有する量子構造の創製に向けためどを立てた。

報告書

(4件)
  • 1999 実績報告書   研究成果報告書概要
  • 1998 実績報告書
  • 1997 実績報告書
  • 研究成果

    (103件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (103件)

  • [文献書誌] S. Abe: "Valence-Electron Spectral Change in Electrochemical Reaction Process in CaSi_2"Appl. Surface Sci.. Vol. 114. 562-566 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M. Marinelli: "Cathodoluminescence Spectroscopy of Synthetic Diamond Films"Diamond & Related Materials. Vol. 6. 717-720 (1997)

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  • [文献書誌] N. Tsukada: "Electron Localization due to Symmetry Breaking in Nonlinear Coupled Quantum Systems"Jpn. J. Appl. Phys.. Vo. 36, No. 6B. L834-837 (1997)

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  • [文献書誌] N. Tsukada: "Dynamical Control of Quantum Tunneling due to ac Stark Shift in an Asymmetric Coupled-Quantum-Dot"Phys. Rev. B. Vol. 56, No.15. 9231-9234 (1997)

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  • [文献書誌] H. Nakayama: "Stochastic Growth theory of Molecular Beam Epitaxy wit Atom Correlation Effects : A Monte-Carlo Master Equation Method"Applied Surface Science. Vol. 113/114. 631-637 (1997)

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  • [文献書誌] S. Abe: "Auger valence electron spectra in Ca-silicides"J. Mat. Res.. Vol. 12, No. 2. 407-411 (1997)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Photoluminescence from Metastable States in Long-Range Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"Phys. Rev. B. Vol. 55, No. 7. 4411-4416 (1997)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "High Efficiency Energy Up-Conversion Induced by Carrier Localization in Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"Abstr. 39th Electronic Materials Conference, Colorado. 35 (1997)

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  • [文献書誌] N. Tsukada: "Rotational Transfer and Dynamical Bunching of an Electron in Coupled Three Quantum Dots under the Influence of a Circularly Polarized Electric Field"Proc. Int. Workshop on nano-Physics and Electronics. (1997)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Role of Carrier Localization in Energy Up-Conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. 169-170 (1997)

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  • [文献書誌] S. Abe: "Valence State Analysis of CaSi_2 with two-dimensional-like Si Layer"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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  • [文献書誌] S. Fujii: "Re-investigation of Foxon Model of GaAs Molecular Beam Epitaxy"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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  • [文献書誌] A. Furuich: "Growth Shape Simulation by Monte-Carlo Master-Equation Method"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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  • [文献書誌] H. Nishida: "Molecular Beam Scattering-Desorption Study of Surface-Reaction Kinetics of MBE Growth of GaAs (001)"Proc. 2nd Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach. 61-64 (1997)

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  • [文献書誌] T. Kita: "Spin-Polarized Excitons in Long-Range Ordered Ga_<0.5>In_<0.5>P"Phys. Rev. B. Vol. 57, No. 24. R15044-R15047 (1998)

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  • [文献書誌] S. Abe: "Valence States Analysis of Ca and Si in CaSi_2 during CaSi_2-H_2O Reaction"J. Mater. Res.. Vo. 13, No. 5. 1401-1404 (1998)

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  • [文献書誌] N. Tsukada: "Laser-Induced Enhancement of Electron Tunneling via an Excited State in an Asymmetric Coupled-Quantum-Well"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 37, No. 5A. 2476-2377 (1998)

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  • [文献書誌] N. Tsukada: "Rotational Transfer and Dynamical Bunching of an Electron in Three Coupled Quantum Dots Induced by a Circularly Polarized Electric field"Solid State Electron. Vol. 42, No.7-8. 1273-1280 (1998)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Carrier Localization Effects in Energy Up Conversion at Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"J. Appl. Phys.. Vol. 84, No. 1. 359-363 (1998)

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  • [文献書誌] T. Kita: "Band-Edge Structure of Diamond Films Grown on Silicon"Diamond Film and Technology. Col. 8, No. 5. 355-360 (1998)

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  • [文献書誌] H. Nakayama: "Monte-Carlo Master Equation Method for a Simulation of an Epitaxial Growth Dynamics of Compound and Alloy Semiconductors"Proc. 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka. 169 (1998)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Semiconductor Heterointerface"Proc. 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka. 129 (1998)

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  • [文献書誌] S. Abe: "Synthesis of Quasi Two-Dimensional Photoluminescence CaSi_2 and FeSi_2 by Solid Reaction on Si (111) Substrate"Proc. Int. Conf. Solid Films & Surfaces. (1998)

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  • [文献書誌] T. Kita: "Spin-Polarized Excitons in Long Range Ordered Ga_<0.5>In_<0.5>P"Proc. 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba. 525-528 (1998)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Efficiency of Photoluminescence Up-Conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P and GaAs Heterointerface"Proc. 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba. 521-524 (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S. Abe: "Auger Electron Spectroscopy of Super-Doped Si : Mn Thin Films"Proc. 9th International Conference on Solid Films and Surfaces, Denmark. (1998)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Observations of Ordering-Induced Indirect to Direct Transition in AlGaInP (Invited Paper)"Abstr. 40th Electronic Materials Conference. 27 (1998)

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  • [文献書誌] K. Yamashita: "Carrier-Relaxation Process in Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 38, No. 2B. 1001-1003 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Dynamic Process of Anti-Stokes Photoluminescence at a Long-Range Ordered Ga_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"Phys. Rev. B. Vol. 59, No. 23. 15358-15362 (1999)

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  • [文献書誌] T. Kita: "Self-Organized Process of InAs-Quantum Dots Monitored by Reflectance-Difference Spectroscopy"Inst. Phys. Conf. Ser., No. 162. Chapter 9. 457-462 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Yamashita: "Linear Electrooptic Effect in Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"J. Appl. Phys.. Vol. 86, No. 6. 3140-3143 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Energy Relaxation by Multiphonon Processes in Partially Ordered Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"Proc. 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Davos. 159-162 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Yamashita: "Relaxation Process of Photoexcited Carriers in GaAs/InAs/GaAs Quantum Structures"Proc. 18th Electronic Materials Symposium, Kii-Shirahama. 39-40 (1999)

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  • [文献書誌] T. Kita: "Reflectance-Difference Spectroscopy of Two-Dimensional InAs during Stransk-Krastanov Formation of Quantum Dots"Proc. 18th Electronic Materials Symposium, Kii-Shirahama. 141-142 (1999)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Dynamics Process of Two-Dimensional InAs Growth in Stranski-Krastanov Mode"Physica E. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Time-Resolved Observation on Anti-Stokes Photoluminescence at Ordered Ga_<0.5>In_<0.5>P"Journal of Luminescence. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K. Yamashita: "Initial Stages of InAs-Quantum Dots Formation Studies by Reflectance-Difference spectroscopy and Photoluminescence"Inst. Phys. Conf. Ser.. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T. Kita: "Self-Assembled Growth of InAs-Quantum Dots and Postgrowth Behavior Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy"Applied Surface Science. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A. Shimizu: "Structural Evolution and Valence-Electron State Change During Ultra Thin Silicon Oxide Growth"Applied Surface Science. (in press). (2000)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H. Nakayama: "Atomic Ordering in Epitaxial Alloy Semiconductors : from the Discoveries to the Physical Understanding in Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism, Edited by T. Nishinaga"Elsevier, Amsterdam.

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Abe, H.Nakayama, T.Nishino and S.Iida: "Valence-Electron Spectral Change in Electrochemical Reaction Process in CaSiィイD22ィエD2"Appl. Surface Sci.. 114. 562-566 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] M.Marinelli, A.Paoletti, A.Tucciarone, A.Hatta, T.Ito, A.Hiraki and Taneo Nishino: "Cathodoluminescence Spectroscopy of Synthetic Diamond Films"Diamond & Related Materials. 6. 717-720 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita and T.Nishino: "Electron Localization due to Symmetery Breaking in Nonlinear Coupled Quantum Systems"Phys. Rev. B. Vol.56, No.15. 9231-9234 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita and T.Nishino: "Dynamical Control of Quantum Tunneling due to ac Stark Shift in an Asymmetric Coupled-Quantum-Dot"Applied Surface Science. 113/114. 631-637 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] H.Nakayama, A.Furuichi, T.Kita and T.Nishino: "Stochastic Growth theory of Molecular Beam Epitaxy wit Atom Correlation Effects : A Monte-Carlo Master Equation Method"J. Mat. Res.. Vol.12, No.2. 407-411 (1997)

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  • [文献書誌] S.Abe, H.Nakayama, T.Nishino and S.Iida: "Auger valence electron sp ectra in Ca-silicides"Phys. Rev. B. Vol.55, No.7. 4411-4416 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, and T.Nishino: "Photoluminescence from Metastable States in Long-Range Ordered(AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P"Abstr. 39th Electronic Materials Conference, Colorado. (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, and T.Nishino: "High Efficiency Energy Up-Conversion Inducted by Carrier Localization in Ordered(AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P/GaAs Heterointerface"Proc. Int. Workshop on Nano-Physics and Electronics. (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita and T.Nishino: "Rotational Transfer and Dynamical Bunching of an Electron in Coupled Three Quantum Dots under the Influence of a Circularly Polarized Electric Field"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. 169-170 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama and T.Nishino: "Role of Carrier Localization in Energy Up-Conversion at (AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.51ィエD2InィイD20.49ィエD2P/GaAs Heterointerface"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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  • [文献書誌] S.Abe, H.Nakayama, T.Nishino, S.Iida and E.Kulatov: "Valence States Analysis of CaSiィイD22ィエD2 with two-dimensional-like Si Layer"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] S.Fujii, H.Nishida, H.Nakayama and T.Nishino: "Re-investigation of Foxon Model of GaAs Molecular Beam Epitaxy"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] A.Furuichi, H.Nakayama and T.Nishino: "Growth Shape Simulation by Monte-Carlo Master-Equation Method"Proc. 16th Electronic Materials Symposium. (1997)

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  • [文献書誌] H.Nishida, S.Fujii, H.Nakayama and T.Nishino: "Molecular Beam Scattering-Desorption Study of Surface-Reaction Kinetics of MBE Growth of GaAs(001)"Proc. 2nd Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach. 61-64 (1997)

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      1999 研究成果報告書概要
  • [文献書誌] T.Kita, M.Sakurai, K.Bhattacharya, K.Yamashita, T.Nishino, C.Geng, F.Scholz, and H.Schweizer: "Spin-Polarized Excitons in Long-Range Ordered GaィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P"Phys. Rev. B. Vol.57, No.24. R15044-R15047 (1998)

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  • [文献書誌] S.Abe, H.Nakayama, T.Nishino and S.Iida: "Valence States Analysis of Ca and Si in CaSiィイD22ィエD2 during CaSiィイD22ィエD2-HィイD22ィエD2O Reaction"J. Master. Res.. Vol.13, No.5. 1401-1404 (1997)

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  • [文献書誌] N.Tsukada, M.Gotoda, T.Isu, M.Nunoshita and T.Nishino: "Laser-Induced Enhancement of Electron Tunneling via an Excited State in an Asymmetric Coupled-Quantum-Well"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.37, No.5A. 2476-2377 (1998)

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  • [文献書誌] N.Tsukada, M.Gotoda, M.Nunoshita and T.Nishino: "Rotational Transfer and Dynamical Bunching of an Electron in Three Coupled Quantum Dots Induced by a Circularly Polarized Electric field"Solid State Electron. Vol.42, No.7-8. 1273-1280 (1998)

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  • [文献書誌] H.Nakayama, T.Morikawa, T.Ekaitsu and T.Nishino: "Monte-Carlo Master Equation Method for a Simulation of an Epitaxial Growth Dynamics of Compound and Alloy Semiconductors"Proc. 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka. 169 (1998)

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  • [文献書誌] K. Yamashita, T. Kita, H. Nakayama, and T. Nishino: "Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Semiconductor Heterointerface"Proc. 17th Electronic Materials Symposium, Izunagaoka. 129 (1998)

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  • [文献書誌] S.Abe, K.Aoyagi, H.Nakayama, T.Nishino, H.Ohta and E.Kulatov: "Synthesis of Quasi Two-Dimensional CaSiィイD22ィエD2 and FeSiィイD22ィエD2 by Solid Phase Reaction on Si(111) Substrate"Proc. Int. Conf. Solid Films & Surfaces. (1998)

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  • [文献書誌] T.Kita, K.Bhattacharya, K.Yamashita, T.Nishino, C.Geng, F.Scholz, and H.Schweizer: "Spin-Polarized Excitons in Long-Range Ordered GaィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P"Proc. 10th International Conference on indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba. 525-528 (1998)

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  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, T.Nishino, and M.Oestreich: "Efficiency of Photoluminescence Up-Conversion at (AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P and GaAs Heterointerface"Proc. 10th International Conference on indium Phosphide and Related Materials, Tsukuba. 521-524 (1998)

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  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, T.Nishino, and M.Oestreich: "Carrier-Relaxation Process in Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Ordered(AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P/GaAs Heterointerface"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol.38, No.2B. 1001-1003 (1999)

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  • [文献書誌] T.Kita, T.Nishino, C.Geng, F.Scholz, and H.Schweizer: "Dynamic Process of Anti-Stokes Photoluminescence at a Long-Range Ordered GaィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P/GaAs Heterostructure"Phys. Rev. B. Vol.59, No.23. 15358-15362 (1999)

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  • [文献書誌] K.Yamashita, T.Kita, and T.Nishino: "Linear Electrooptic Effect in Ordered(AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P"J. Appl. Phys.. Vol.86, No.6. 3140-3143 (1999)

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  • [文献書誌] T.Kita, M.Sakurai, K.Yamashita, and T.Nishino: "Energy Relaxation by Multiphonon processes in Partially Ordered(AlィイD20.5ィエD2GaィイD20.5ィエD2)ィイD20.5ィエD2InィイD20.5ィエD2P"Proc. 11th International Conference on indium Phosphide and Related Materials, Davos. 159-162 (1999)

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公開日: 1997-04-01   更新日: 2016-04-21  

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