| 研究課題/領域番号 |
09440195
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物理化学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
岩澤 康裕 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40018015)
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| 研究分担者 |
佐々木 岳彦 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教授 (90242099)
大西 洋 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (20213803)
朝倉 清高 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (60175164)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
1998年度: 5,100千円 (直接経費: 5,100千円)
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| キーワード | XPEEM / PEEM / MEM / 複合表面イメージングシステム / リアルタイム観察 / STM / ESDIAD / リアルタイムイメージング / 反応プロセス制御 / XPEEN |
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| 研究概要 |
次世代化合物半導体デバイスや100%の選択性を有する高効率完全触媒の開発には、表面の反応を利用し、原子・分子レベルで精密に制御された表面を作る技術の確立が必要であるが、これを達成するためには、原子・分子レベルでの表面化学現象を追跡し、化学反応素過程を解明する必要があるだけでなく、それらが集合して形成する原子集団やその表面における化学反応プロセス全体の挙動を明らかにする必要がある。特に、このサブミクロン〜ミクロン領域における表面化学反応の結果、脱離してくる反応生成物の種類やその脱離方向の角度分布をリアルタイムで調べることにより、表面反応プロセスを総合的に理解することができる。そこで本研究では、新しいリアルタイム表面イメージングシステムであるin-situ複合表面イメージングシステムを開発し、STM(走査トンネル顕微鏡)とESDIAD(電子刺激脱離イオン角度分布)を組み合わせて、表面の化学状態や原子の動きと反応脱離生成物の同定および脱離角度分布をリアルタイムで観察し、反応素過程の原子・分子レベルでの解明を行うことを目的とした。その結果、半導体や酸化物半導体上における金属の空間的な動きを直接PEEMやMEM法などの表面イメージング法でリアルタイムに観察することに成功するとともに、吸着種1個1個を分離して、STM観測することに成功した。さらに、メタノールの分解反応過程を直接追跡し、分解反応に必要な表面との相互作用を明らかにした。
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