| 研究概要 |
1. タングステンを中心金属に用い,いずれもカルボニル錯体の光反応を利用して,ドナーで架橋安定化されたビス(シリレン)錯体,外部ドナーで安定化されたシリル(シリレン)錯体,シリル(シリレン)錯体のカルボニル配位子の酸素が互いにシリレン配位子に配位して8員環を形成した二量体錯体およびドナーの配位していないゲルミル(ゲルミレン)錯体の合成に成功した。これらの錯体の構造をX線構造解析により明らかにした。さらに,単離したシリル(シリレン)錯体上で置換基の1,3-転位が起こることを実証した。
2. ビス(シリレン)ルテニウム錯体について反応性の研究を行い,アルコール,水の付加,分子内C-H結合の活性化等が容易に起こることから,シリレン配位子が高い求電子性を持つことを明らかにした。また,ビス(シリレン)ルテニウムおよび鉄錯体にジメチルシリレンが付加し,ジシラニル(シリレン)錯体が生成することを見出した。
3. (ホスフィノエチル)シリル配位子を支持配位子として持つイリジウム錯体を用いて,ヒドロジシランのケイ素上の置換基の再分配,メチル(ヒドリド)イリジウム錯体から第1級シランSiRH_3へのメチル基の移動によるメチルシランSiR(Me)H_2の生成,ヒドロシリル配位子から配位不飽和金属中心への1,2-水素移動によるヒドリド(シリレン)錯体の生成等の新しい反応を見出した。
4. ドナーで安定化された陽イオン性ゲルミレン錯体および第2級アルキル置換シリレン架橋鉄二核錯体,鉄-タングステン錯体を初めて合成した。
5. 1,2-フェニレンジオキシシリル配位子を持つ鉄錯体の初めての合成と構造解析に成功し,さらにその反応性を明らかにした。
6. シリル(カルボニル)鉄錯体の新しい反応として,LiAlH_4との反応によるカルボニル配位子の還元とシリル基とのカップリング反応,およびトリアルキルホスファイトP(OR′)_3との反応によるアシル錯体の生成を見出した。
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