| 研究課題/領域番号 |
09450009
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
纐纈 明伯 東京農工大学, 工学部, 助教授 (10111626)
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| 研究分担者 |
関 壽 東京農工大学, 工学部, 教授 (70015022)
高橋 直行 東京農工大学, 工学部, 助手 (50242243)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1999
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| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
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| 配分額 *注記 |
12,800千円 (直接経費: 12,800千円)
1999年度: 2,100千円 (直接経費: 2,100千円)
1998年度: 2,400千円 (直接経費: 2,400千円)
1997年度: 8,300千円 (直接経費: 8,300千円)
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| キーワード | GaAs / 水素吸着 / その場測定 / 表面再構成 / 解離吸着 / 表面光吸収 / 第一原理計算 / 化合物半導体 / 表面反応 / As脱離 / 光 / マイクロバランス / ALE |
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| 研究概要 |
本研究では、結晶成長時に成長最表面で起こる原子・分子レベルの反応およびエネルギーを安定させるために結晶最表面で起こる表面最構成構造の解明を目的として研究を行った。この目的のために、(1)マイクロバランスをおよび光を用いたその場測定、(2)第一原理分子動力学を用いた結晶表面の量子化学計算を行い、実験および理論計算の二つの方向から研究を進めた。
具体的成果は下記の通りである。
●GaAs(001)、GaAs(111)B面およびGaAs(111)A面上への水素吸着のその場測定結果を行い、常圧下での水素吸着過程を初めて明らかにした。
●上記のその場測定結果より水素吸着の吸着熱量を初めて明らかにした。これらは全て吸熱反応であり、全ての面で水素の解離吸着が表面で起こることを示唆している。
●第一原理分子動力学計算を行いたGaAs(111)A面への水素吸着過程に関する研究を行った。
この研究により、水素分子はGaAs最表面のGaおよびAs原子にアタックして解離吸着することが明らかになった。
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