| 研究課題/領域番号 |
09450016
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
梅野 正隆 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50029071)
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| 研究分担者 |
益子 洋治 三菱電機(株), ULSI開発研究所, グループマネージャ(
志村 考功 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助手 (90252600)
YOHJI Mashiko Mitsubishi Electric Corp., ULSI Iab., Group Manager (researcher)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
11,500千円 (直接経費: 11,500千円)
1998年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1997年度: 9,300千円 (直接経費: 9,300千円)
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| キーワード | X線回折 / CTR散乱 / マイクロデバイス / 極微細構造 / シリコン |
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| 研究概要 |
サブミクロンオーダーの微細構造の作製とその微細構造に起因した散乱の測定を行なった。リソグラフィ技術とKOHによるケミカルエッチングによってV字型の溝をSi(001)上に形成した。溝の幅は0.20μmから5.0μmまで、溝と山の幅の比は1:1から1:20まで範囲で変化させてある。それぞれの大きさは1.0x0.2mm^2である。V溝の形状は原子間力顕微鏡(AFM)により確認した。外形効果による散乱の測定は111ブラッグ点まわりについて対称反射条件により行なった。入射側と受光側の両方に幅0.1mmのスリットとチャンネルカット結晶を用いることにより、試料表面上での測定領域を制限することができた。そのため、1.0x0.2mm^2という狭い領域にパターニングされた微細構造からのX線散乱を隣接した領域と区別して測定することができた。幾つかのV溝について外形効果による散乱を測定し、それからV溝の周期長と斜面の傾きを見積もることができた。また、フーリエ変換を用いた強度計算によりV溝からの散乱をほぼ再現することができた。さらに、V溝を熱酸化させた試料についても測定を行ない、熱酸化膜がない場合と同様に界面であるSi結晶表面の外形効果による散乱を測定することができた。しかし、その散乱強度分布は外形効果だけでは説明できないブラッグ点に対する非対称性を示した。これは、外形だけでなくひずみ等の結晶構造についての情報を含んでおり、ブラッグ点周りの強度分布を測定することによりひずみ等を見積もることができることを示していると考えられる。
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