| 研究課題/領域番号 |
09450033
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 宮崎大学 |
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研究代表者 |
佐々木 亘 宮崎大学, 工学部, 教授 (30081300)
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| 研究分担者 |
河仲 準二 宮崎大学, 工学部, 助手 (50264362)
窪寺 昌一 宮崎大学, 工学部, 助教授 (00264359)
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| 研究期間 (年度) |
1997 – 1998
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| 研究課題ステータス |
完了 (1998年度)
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| 配分額 *注記 |
9,100千円 (直接経費: 9,100千円)
1998年度: 2,800千円 (直接経費: 2,800千円)
1997年度: 6,300千円 (直接経費: 6,300千円)
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| キーワード | 高強度超短パルスレーザー / 光電界電離過程 / 真空紫外光源 / 希ガスエキシマ分子 / コヒーレント制御 / 軟X線 / コヒーレント光 / 多価イオン / 超短パルスレーザー / 光電界電離法 / 軟X線コヒーレント光 / 希ガスエキシマ / 真空紫外光 |
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| 研究概要 |
本研究では、高強度レーザーにより希ガスを励起することにより真空紫外光を初めて観測し、その諸特性に新しい知見を得た。また紫外光と可視光の超短レーザーパルスを制御することによりアルカリハライド分子の解離を制御することに初めて成功した。これらの結果は将来的にX線コヒーレント光を発生させるための重要な基礎データとなることが期待できる。
本実験で用いたレーザー集光強度(10^<14>-10^<15>Wcm^<-2>)では、希ガスと超短パルス高出力レーザーとを相互作用させた結果,多価イオンからの発光は観測されなかった。しかし、真空紫外域におけるAr^*_2ならびにそのプレカーサであるAr^*の発光スペクトルを初めて観測した。さらに、Ar^*_2発光強度の励起レーザー集光強度依存性からArが高強度レーザーによりトンネル電離されていることがADK理論との比較よりわかった。
また、励起レーザーの偏光状態を変えたところ、理論的な初期電子温度分布は大きく異なるにもかかわらずエキシマ発光強度は変化しなかった。これは電子生成直後の速いconductive coollingにより電子温度が急速に冷却されていることに起因している。
これらの結果から、初期状態プラズマの電子温度、電子密度、励起エネルギー密度等の各種パラメータに関しては電子ビーム励起法と遜色ないことがわかった。励起長の増加のためには中空ファイバーを用いる方法が考えられるが、高強度レーザーの伝搬にかかわる問題を解決していく必要がある。また媒質への電子の十分な供給方法として超短パルスレーザーのパルス列による媒質の励起形態等も考えられる。
超短パルスレーザーによる分子の制御の観点から、紫外域と可視域の二色の超短パルスレーザーによるアルカリハライド分子のコヒーレント制御に関する基礎的な知見を得た。紫外レーザーにより励起され、解離する分子を可視域のフェムト秒レーザーの照射により、分子の生成、解離に関わる過程の積極的な制御を行うことに成功した。
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