研究概要 |
本研究では,当初の目標として,(1)我々の研究室で開発したパルスレーザー光を用いた過渡熱起電力効果(TTE)測定系に小型強磁場パルスマグネット及び高電場パルス応答測定装置を組込み,改良・整備すること,(2)CDW転移を示すη-Mo_4O_<11>,有機伝導体(DMe-DCNQI)_2Cu及び層状物質のIT型TaS_2の電子物性を解明することであった。研究途上,η-Mo_4O_<11>で無機物質では初めてバルク量子ホール効果(b-QHE)を見い出した。この物質系で起こるb-QHEの起源解明のために,研究計画(1)の一部変更を行い,学内共同利用施設である広島大学低温センターの^3Heクライオスタットに組込める高電場パルス応答測定装置を設計・製作した。更に,他研究機関の研究者からの共同研究の申入れなどもあり,電荷密度波物質以外の物質系の研究にも注目し,以下のような成果を得た。 (1) η-Mo_4O_<11>におけるb-QHEの発見,新しいバルク量子ホール状態であるChiral surface statesによる特異な現象の発見,CDW系とQHE系の相互作用及びb-QHEのメカニズムの解明。 (2) 層状半導体Bi_<2-x>Sn_xTe_3におけるb-QHEの発見とそのメカニズムの解明。 (3) 巨大磁気抵抗を示すペロブスカイ型マンガン酸化物薄膜における過渡熱起電力効果と磁気秩序との関係及びキャリアの再結合過程におけるポーラロン効果の重要性の解明。 (4) 自作パルスマグネットを用いた層間化合物M_xTiS_2(M:3d遷移金属)の電流磁気効果の解明。 (5) 直流電気測定とTTE法による超高純度タングステン(補償金属)単結晶の磁気・温度破壊現象の解明。
|