| 研究分担者 |
松本 泰 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (20312598)
末光 眞希 (末松 眞希) 東北大学, 電気通信研究所, 助教授 (00134057)
庭野 道夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (20134075)
小野 雄 東北大学, 大学院・工学研究科, 助手 (70271880)
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| 配分額 *注記 |
14,000千円 (直接経費: 14,000千円)
1999年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1998年度: 3,000千円 (直接経費: 3,000千円)
1997年度: 8,000千円 (直接経費: 8,000千円)
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| 研究概要 |
本研究では、本研究代表者らが発明・開発した超音波マイクロスペクトロスコピー(UMS)技術を電子デバイス材料(LiNbO_3,LiTaO_3,Si,GaAs)とデバイス作製プロセスでよく使用されるプロトン交換層、エピタキシャル膜、イオン注入層、SiO_2等のアモルファス膜と材料基板表面の問題に適用した。
1.高精度直線集束ビーム(LFB)システムの確立:専用の自動試料搬送装置と自動給排水装置を開発し、高信頼性・高精度測定を可能とした。システム校正のため標準試料(GGG,Si,Ge,LiNbO_3,LiTaO_3)を開発した。
2.ボンド法を用いたX線回折装置による超精密格子定数測定法を開発した。
3.LFBシステムによる材料評価法における試料裏面反射波の影響の除去法および近似補正法を開発した。
4.LFBシステムによる単結晶の評価法の開発:
(1)弾性表面波(SAW)デバイス用LiNbO_3,LiTaO_3単結晶を取り上げ、電子材料単結晶の評価法を確立した。
(2)LiNbO_3,LiTaO_3,GaAs単結晶の高精度化学組成比分析法を開発した。
5.SAWデバイス用LiNbO_3,LiTaO_3単結晶ウェハの評価・選別の方法を確立した。
6.LFBシステムによる薄層/基板構造試料の評価解析法の開発:
(1)Z-cut LiTaO_3単結晶基板上のプロトン交換層およびその作製プロセスとシステムの評価解析法を確立した。
(2)Si単結晶基板表面のイオン注入層の評価法を開発した。
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