| 研究課題/領域番号 |
09450121
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子・電気材料工学
|
|---|
| 研究機関 | 筑波大学 |
|---|
研究代表者 |
長谷川 文夫 筑波大学, 物理工学系, 教授 (70143170)
|
|---|
| 研究分担者 |
末益 崇 筑波大学, 物理工学系, 講師 (40282339)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
1997 – 1999
|
| 研究課題ステータス |
完了 (1999年度)
|
| 配分額 *注記 |
8,500千円 (直接経費: 8,500千円)
1999年度: 1,900千円 (直接経費: 1,900千円)
1998年度: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円)
1997年度: 4,400千円 (直接経費: 4,400千円)
|
|---|
| キーワード | 鉄シリサイド / 発光ダイオード / MBE / 移動度 / 赤外線 / 光配線 / β-FeSi_2 / フォトルミネッセンス / エレクトロルミネッセンス / シリコン / 太陽電池 / ダブルヘテロ構造 / 分子線エピタキシー / 光接続 / 凝集 / 分子線エピタキシ- / IC |
|---|
| 研究概要 |
本研究では、Si上の発光・受光デバイス材料として期待される半導体鉄シリサイド(β-FeSi_2)について、Si(001)基板上に結晶性の良いβ-FeSi_2膜を成長し、さらに、これをMBE成長Siで埋込むことで、光配線用の発光源として使える発光ダイオードを作製することを目的として実験を行い、以下の結果を得た。
1.Si(001)上に、これまでで最大の移動度を示す高品質なβ-FeSi_2膜を作製した。
これは、熱反応堆積法により成長したβ-FeSi_2膜をテンプレートとし、Si/Fe多層膜を堆積して、SiO_2キャップを用いることで、アニールによっても凝集しない[100]配向のβ-FeSi_2膜が得られたことによる。伝導型は、Si/Fe組成比により制御でき、電子、正孔について、約50Kで、それぞれ最大6900cm^2/Vs,13000cm^2/Vsと、これまでで最高の移動度を得た。
2.Si(001)上に、P-FeSi_2を活性領域とするSi p-nダイオードを作製し、10A/cm^2以上の電流密度において、1.6μm室温エレクトロルミネッセンスを初めて実現した。
これは、P-FeSi_2の発光に最適なSi基板、およびP-FeSi_2をMBE成長Siで埋込む際の成長温度を最適化したことによる。
|
