| 研究概要 |
本研究では,(775)B CaAs基板上にMBE成長により作製した高均一で高い光学的特性を有する超高密度のGaAs/(GaAs)_4(AlAs)_2自然形成型量子細線を用いた量子細線レーザの開発と,長波長領域(0.85-1.3μm)で発光する高品質の(775)B InGaAs/(GaAs)m(AlAs)n歪量子細線,(775)B InGaAs/InAlAs量子細線の作製を行った。
1.(775)B GaAs基板上の高密度GaAs量子細線レーザ
(775)B GaAs/(GaAs)_4(AlAs)_2量子細線を活性層にもつGRIN-SCH半導体量子細線レーザを開発した。室温(20℃)・パルス電流駆動下で3kA/cm^2のしきい値電流密度が得られた。これは,自然形成型量子細線レーザとして二番目,表面コラゲーションを利用した量子細線レーザとして初めて観測された室温レーザ発振である。本量子細線の優れた光学的特性を示唆している。
2.(553)A,(221)A GaAs基板上のIn_<0.15>Ga_<0.85>As/GaAs量子細線
(553)A,(221)A GaAs基板上にMBE成長したIn_<0.15>Ga_<0.85>As層の表面に周期20nm,高さ1.5nmのコラゲーションが形成されることを見出し,これを用いて,PL発光半値幅7.8meV,偏光度0.2で,860nm以上の波長で発光する超高均一のIn_<0.15>Ga_<0.85>As/GaAs量子細線を作製した。
3.(775)B GaAs基板上のInGaAs量子細線
(775)B GaAs基板上にIn_<0.1>Ga_<0.9>As/(GaAs)_6(AlAs)_1量子細線を作製し,発光波長830nm,PL発光半値幅12meV,偏光度0.1を得た。
4.(775)B InP基板上のInGaAs/InAlAs量子細線
1.3μm帯で発光する(775)B InP基板上に格子整合したInGaAs/InAlAs自然形成型量子細線を作製した。
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